igct和igbt有什么区别 igbt与gto

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1、电压控制型器件：电力晶体管、绝缘栅双极晶体管。

2、可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。

3、MOSFET和IGBT是电压件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。

4、它们共同的作用就电压驱动型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。

5、是可以用较小的电流（或电压）去控制较大的电流，同时都具有单向导电性，均可作为整流和逆变元件使用，。

6、IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。

7、可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。

8、双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。

9、这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

10、今日半导体元件的材料通常以硅为，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最的例如IBM使用硅与锗所发展的硅锗制程。

11、而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。

12、如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。

13、基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。

14、化镓，因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。

15、参考资料：百度百科-MOSFET百度百科-IGBT。

本文到这结束，希望上面文章对大家有所帮助。