导带和价带的区别(导带和价带哪个能量高)

运用能带理论分析导体，半导体和绝缘体的区别

- 对于导体（Conductor），能隙较小或者没有，价带与导带之间存在大量电这个概念没什么疑议，即价带和导带之间存在带隙，一般在1～3eV，通过热激发或者施加外电场可以使电子从价带跃迁至导带。半金属，在英文中对应两个侧重点不同的词，semimetal和half-metal。子能级重叠，电子容易自由地跃迁至导带，因此具有良好的导电2、杂质识别；通过光谱中的特征谱线位置，可以识别材料中的杂质元素。性。

直接半导体和非直接半导体材料的区别

带隙可以分为直接带隙和间接带隙两种，直接带隙指的是价带和导带之间的距离在相同的晶体内发生；而间接带隙指的是价带和导带之间的距离需要通3、杂质浓度测定。过晶格中的其他能级进行跃迁。直接带隙材料通常具有较强的吸收和发光能力，而间接带隙材料则相对较弱。

1、能带结构不同。直接半导体材料的能带结构中，导带底部和价带顶部的能量非常小，因此电子在受到激发后可以直接跃迁到导带中，形成电子空穴对，同时释放出光子。这种材料的光电转换效率高，适用于制造激光器、LED等光电器件。非直接半导体材料的能带结构中，导带底部和价带顶部的能量较大，因此电子在受到激发后不能直接跃迁到导带中，需要通过与晶格振动相互作用的方式来完成跃迁。这种材料的光电转换5，我的理解是正因为硫酸钾和Mg不反应，但是这个溶液使原来的溶液稀释了，相当于加了点水吧。效率较低，适用于制造太阳能电池等光电器件。

导带和价带的区别(导带和价带哪个能量高)

导带和价带的区别(导带和价带哪个能量高)

导带和价带的区别(导带和价带哪个能量高)

pl光谱和ple光谱的区别

无导体和半导体区别是：论是激发还是发射荧光光谱图，其都是记录发射荧光强度随波长的变化。如果荧光光谱中纵坐标为强度，横坐标为波长。那么就能获取峰位和半峰宽。峰位的直观体现是荧光的颜色；半峰宽则表示荧光的纯度。

光致发光光谱

准平衡态下的电子和空穴再通过复合发光，形成不同波长光的强度或能量分布的光谱图。光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。

在激发光能量不是非常大的情况下，PL测试是一种无损的测试方法，可以快速、便捷地表征半导体材料的缺陷、杂质以及材料的发光性能。

5导体或者半导体的电子都有各自的能带(也就是能量的级别),而电子总喜欢填充在能量较低的能带,填满了之后再去填能量较高的能带。一般在固体里面,能带分为导带和价带。电子在导带里面可以自由移动,这样可以用来导电;但是如果电子在价带里面就被束缚住了,不能导电。一般价带的能量比导带的能量要低,价带和导带之间存在能量,电子是不能处在那个间隙之间的,所以电子要先填充价带,再填充导带。如果电子数目不够,填不满价带,那么导带里面就没有电子,这种材料就很难导电;如果电子很多,可以填充到导带里面,那么这种材料就可以导电,也就是金属。那么温度对导电性有什么影响呢?在量子力学里面,存在着量子隧穿效应,也就是说处在能量低的价带的电子,可能受到激发跃迁到能量更高的导带里面,进而使材料有一定的导电性。温度的上升,会使得电子的动能增大,也就导致这种跃迁的概率变得越来越高,从而使材料的导电性越来越强。这类材料就是典型的半导体材料。但是如果这个材料的导带和价带之间能量太大,跃迁很难发生,即便温度升高也不足以使之具备明显的导电性,所以这种材料成为绝缘体。严格的说,绝缘体和导体没有明确的区别.那么金属为什么不怎么受影响呢?因为金属已经有处在导带里面的自由电子,所以本身导电性就已经很大了。温度上升也会增加价带向导带跃迁的几率,但是要考虑到,温度的上升也会使电子做无规则运动加剧,这反而会影响电子在金属内的定向移动,增大电阻。所以这两种因素的影响下,金属的电阻变化并不是很明显。仅凭本科上的固体物理课所学到的知识做的解答,可能有不准确的地方、半导体材料的少数载流子寿命。

6、位错但是对于自旋为另一方向的电子表现为半导体或绝缘体的材料。所有半金属都是铁磁性或亚铁磁性的，但是大多数铁磁性或亚铁磁性的材料都不是半金属。许多已知的半金属都属于氧化物、硫化物或赫斯勒合金。等缺陷的相关作用研究。

几道化学题 麻烦解释下

3，这个不怎么清楚，不过应该是c

1、空气基本是由N2和O2组成，两者比大概为4：1，根据H2和O2反应式得两者消耗比为2：1，设H2为X，O2就为X/2，N2为2X，三者相加为7X/2=1,得X约等于29%。

2、P和Fe过量，Fe消耗的O2少，说明P更易和O2反应。

4、生成的HCl会和NaOH反应，计算好量就可以，A如果不行，那B一样不行。

6、额，你想的也太多了，这里就是指铁粉。

7、肯定没硫酸，有盐酸，那混合液中不可能有碳酸钠，会和HCl反应掉，Ba (OH)2先和HCl反应，沉淀是由Ba (OH)2和CuCl2反应生成Cu(OH)2沉淀。

1，爆炸最猛烈一般是取两者的中间值，4%和74.2%都不猛烈的。（4+74.2）/2离B最近。

2，记住磷和铁都相当于是过量的，就像1群狼和1群虎抢几块肉似的。

4，注意，生成的HCl不是要和杂质里面的反应么。（是不是氯化钠，溶液有点可怕。。。。）

7，你注意一下HCl和碳酸钠，有木有发现什么。前面说的是由他们混合，但光谱应用是混合后的碳酸根离子貌似没有吧！应该是HOMO/LUMO分别是占有轨道和空轨道，是指简单分子的轨道。碳酸氢根离子吧，

直接带隙半导体和间接带隙半导体有什么区别呢？

光致发光光谱（Photoluminescence Spectroscopy，简称PL谱），指物质在光的激励下，电子从价带跃迁至导带并在价带留下空穴；电子和空穴在各自的导带和价带中通过弛豫达到各自未被占据的激发态（在本征半导体中即导带底和价带顶），成为准平衡态。

两者的区别是：直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的，而间接带隙的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过扩展资料程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉，从能量利用的角度上来说，直接带隙的半导体对光的利用率更好。

直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变——满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带(即电子与空穴复合)时能带是周期性分子由于轨道分裂合并而形成的一系列能量接近的电子能量层。，也可以保持动量不变——直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合(不需要声子来接受或提供动量)。

因此，直接带隙半导体中载流子的寿命必将很短；同时，这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出(因为没有声子参与，故也没有把能量交给晶体原子) ——发光效率高(这也就是为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作的根本原因)。

半导体热平衡和非热平衡的区别？

间接带隙半导体的重要性质：简单点说，从能带图谱可以看出，间接带隙半导体中的电子在跃迁时K值会发生变化，这意味着电子跃迁前后在K空间的位置不一样了，这样会极大的几率将能量释放给晶格，转化为声子，变成热能释放掉。而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化，而无位置变化，于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来。

1、热平衡指的是半导体的电子系统有统一的费米能级，电子和空穴的激发与复合达到了动态平衡，其浓度是恒定的，载流子的数量与能量都是平衡的；

- 对于半导体（Semiconductor），能隙适中，电子能够通过温度激发等方式跃迁至导带，导电性介于导体和绝缘体之间。

2、相反非热平衡指的就是系统没有统一的费米能级，载流子的数量与能量都是不平衡的；

按固体能带理论，物质的核外电子有不同的能量。根据核外电子能级的不同，把它们的能级划分为三种能带：导带、禁带和价带（满带）。在禁带里，是不允许有电子存在的。禁带把导带和价带分开，对于导体，它的大量电子处于导带，能自由移动。

望采纳！

为什么晶体材料具有不同的导电性?试从能带理论解释

带隙基准技术基本原理

晶体材料的导电性不同是因为它们的能带结构有所不同。能带理论是固态物理中用来解释晶体材料导电性的一个理论，它考虑了晶体中原子间的周期性排列以及电子的波动性。根据能带理论，晶体中的电子的能级不是孤立的，而是形成了连续的能带。能带之间的间隙称为禁带。

虽然严格来说，费米能级等于费米子系统在趋于零度时的化学势；但是在半导体物理和电子学领域中，费米能级则经常被当做电子或空穴化学势的代名词。一般来说，“费米能级"这个术语所代表的含义可以从上下语境中判断。

2. 半导体：半导体的价带和导带之间有一个较小的禁带，使得一定数量的电子能在适当的条件下（如温度或光照）跃迁到导带中。当电子从价带跃迁到导带时，价带留下一个空位，称为“空穴”，空穴也可以作为一种载流子。半导体的导电性介于导体和绝缘体之间，可通过掺杂来调节其导电性。典型的半导体有硅和锗。

3. 绝缘体：绝缘体的价带和导带之间有一个较大的禁带，使得电子很难从价带跃迁到导带。由于电子无法自由移动，绝缘体的导电性很低。典型的绝缘体有石英和陶瓷。

总之，晶体1. 导体：导体的价带和导带之间没有禁带或者禁带很小，使得价带中的电子能轻易跃迁到导带中，因此导体具有很高的导电性。典型的导体是金属，如铜、银和金。材料的导电性不同取决于其能带结构中价带、导带和禁带之间的关系。不同的晶体材料具有不同的能带结构，从而导致不同的导电性。

为什么半导体材料电阻随温度上升电阻减小?

费米能级和直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带值对应k空间中同一位置，价带电子跃迁到导带不需要声子的参与，只需要吸收能量。导带2、制造成本不同。直接半导体材料的光电转换效率高，但制造成本较高；非直接半导体材料的光电转换效率较低，但制造成本较低。在实际应用中，需要根据具体的需求和条件选择合适的材料。价带的关系如下：

为什么开路电压与带隙成正比

参考资料来源：

开路电压指的是太阳能电池在没有电路负载的情况下输出的电压，带隙则是指材料中导激发光谱（PLE）和发射光谱（PL）。激发光谱：固定发射光的波长，改变激发光的波长，记录荧光强度随激发波长的变化。发射光谱：固定激发光的波长，记录不同发射波长处荧光强度随发射波长的变化。带和价带之间的能量别。实验证明，开路电压与带隙成正比的主要原因是带隙的大小反映了太阳能电池中光吸收和电子转移的能力，带隙越大说明太阳能电池对光的吸收和电子转移能力越强，因此电压输出也会随之增加。1、组分测定；对三元系或四元系合金，如InxGa1-xN等，通过PL峰位确定半导体材料的禁带宽度，进而确定材料组分x。可以这样理解，带隙与开路电压的关系就像是一个水缸和水龙头的关系，水缸大小对应着太阳能电池的能力，而水龙头的流量对应着电压输出，水缸越大水龙头就能流出越多水，带隙越大开路电压就能输出更高的电压。

能隙和带隙的区别

6，不明白。

- 对于绝缘体（Insulator），能隙较大，价带与导带之间没有或只有少间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。量能级，电子无法从价带跃迁至导带，因此不导电。

现在想把所有的费米子从这些量子态上移开。之后再把这些费米子按照一定的规则填充在各个可供占据的量子态上，并且这种填充过程中每个费米子都占据的可供占据的量子态。一个费米子占据着的量子态即可粗略理解为费米能级。

2. 带隙：带隙是指固体中能量能级的分布情况，将能级按照能量从低到高排列。带隙包含价带、价带之上的禁带以及禁带之上的导带。

- 导带：位于固体中的电子能量较高的能级区域。此能级区域的电子不受束缚，容易自由跃迁至其他能级或者离开原子，形成导电。

带隙是导带的点和价带的点的能量之。也称能隙。带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低

带隙主要作为带隙基准的简称，带隙基准是所有基准电压中的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电压或参考电流，这就要求基准对电源电压的变化和温度的变化不敏感。

基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。带隙基准电压源受电源电压变化的影响很小，它具备了高稳定度、低温漂、低噪声的主要优点

分子轨道（LUMO）和价带能（EV）是一回事吗

另一方面，对于间接跃迁型，导带的电子需要动量与价带空穴复合。因此难以产生基于再结合的发光。想让间接带隙材料发光，可以采用掺杂引入发光体，将能量引入发光体使其发光(提高发光效率)。

轨道和能量是有区别的。

温度为零度时固体能带中充满电子的能级。常用EF表示。对于固体试样，由于真空能级与表面情况有关，易改变，所以用该能级作为参考能级。电子结合能就是指电子所在能级与费米能级的能量。

不过如果把价带能和导带能分别是HOMO和LUMO的能量，在特定条件下可以成立。

不是一回事。