晶体质量主要指哪三个方面_晶体质量主要指哪三个方面的内容
高中化学选修3晶体那一章该怎么学,尤其是有关晶胞的计算问题?
要有立体意识。关于立方晶胞的计算。记住,顶点占八分之一,面心占二分之一。棱上占四分之一。体内占一。求密度
晶体质量主要指哪三个方面_晶体质量主要指哪三个方面的内容
晶体质量主要指哪三个方面_晶体质量主要指哪三个方面的内容
公式p=NM/(V ×NA )
p是晶体密度 ,M是广义的晶体的摩尔质量 ,N是晶胞中广义上的分子个数 其中 M_Mg 和 M_O 分别表示 Mg 原子和 O 原子的摩尔质量。根据元素周期表,Mg 的摩尔质量为 24.31 g/mol,O 的摩尔质量为 16.00结晶溶剂:根据产品的特性筛选出两到三种溶析剂进行结晶试验研究,考察过程种注意考察结晶出来产品的粒度、粘度,是否利于后面的作,在收率、作特性之间选择溶剂。对于溶析结晶,利用DOE,经过这五个因素的考察后基本的工艺参数就定出来了,再经过适当的微调基本就能得到想要的结晶粒度。 g/mol。因此:,NA是阿伏加德罗常数 ,V是晶胞体积。
要有立体意识。关于立方晶胞的计算。记住,顶点占八分之一,面心占二分之一。棱上占四分之一。体内占一。求密度
公式p=NM/(V ×NA )
p是晶体密度 ,M4.是广义的晶体的摩尔质量 ,N是晶胞中广义上的分子个数 ,NA是阿伏加德罗常数 ,V是晶胞体积。
要有立体意识。关于立方晶胞的计算。记住,顶点占八分之一,面心占二分之一。棱上占四分之一。体内占一。求密度
公式p=NM/(V ×NA )
p是晶体密度 ,M是广义的晶体的摩尔质量 ,N是晶胞中广义上的分子个数 ,NA是阿伏加德罗常数 ,V是晶胞体积。
那个其实很简单,首先掌握基本公式。密度等于质量除体积,然后质量等于摩尔质量乘以物质的量,物质的量等于粒子数除以NA,经过以上代换,即可得。
记忆晶胞模型,记公式,记规律,把一类题做会了,基本就没啥问题了。楼下的公式方法和辅导书,你也可以试试。
记住密度公式,然后思考1个晶胞中有个原子,晶胞的体积是多少,具体的可以参考教材帮物质结构与性质这本书,里面各种晶胞的计算都有
晶体中的晶体缺陷有哪些
12,阐明劳埃方程各符号的物理意义,并说明为何摄取劳埃图时需用白色射线,而在用单色特征射线摄取单晶回转图时,需使晶体沿一晶轴旋转点缺陷、线缺陷—位错、面缺陷。
晶体1、点缺陷,只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷。
2、线缺陷—位错,位错的概念1934年由泰勒提出到1950年才被实验所实具有位错的晶体结构,可看成是局部晶格沿一定的原子面发生晶格的滑移的产物。
3、面缺陷,是沿着晶格内或晶粒间的某个面两侧大约几个原子间距范围内出现的晶格缺陷。主要包括堆垛层错以及晶体内和晶体间的各种界面,如小角晶界、畴界壁、双晶界面及晶粒间界等。
性质
晶体缺陷的存在对晶体的性质会产生明显的影响。实际晶体或多或少都有缺陷。适量的某些点缺陷的存在可以大大增强半导体材料的导电性和发光材料的发光性,起到有益的作用;而位错等缺陷的存在,会使材料易于断裂,比近于没有晶格缺陷的晶体的抗拉强度,降低至几十分之一。
晶体缺陷有的是在晶体生长过程中,由于温度、压力、介质组分浓度等变化而引起的;有的则是在晶体形成后,由于质点的热运动或受应力作用而产生。它们可以在晶格内迁移,以至消失;同时又可有新的缺陷产生。
晶体结构中质点排列的某种不规则性或不完善性。又称晶格缺陷。表现为晶体结构中局部范围内,质点的排布偏离周期性重复的空间格子规律而出现错乱的现象。根据错乱排列的展布范围,分为下列4种主要类型。
①点缺陷。只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷。它包括:晶格位置上缺失正常应有的质点而造成的空位;由于额外的质点充填晶格空隙而产生的填隙;由杂质成分的质点替代了晶格中固有成分质点的位置而引起的替位等。在类质同象混晶中替位是一种普遍存在的晶格缺陷。
②线缺陷—位错。位错的概念1934年由泰勒提出到1950年才被实验所实具有位错的晶体结构,可看成是局部晶格沿一定的原子面发生晶格的滑移的产物。滑移不贯穿整个晶格,晶体缺陷到晶格内部即终止,在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界处造成质点的错乱排列,即位错。这个分界外,即已滑移区和未滑移区的交线,称为位错线。位错有两种基本类型:位错线与滑移方向垂直,称刃位错,也称棱位错;位错线与滑移方向平行,则称螺旋位错。刃位错恰似在滑移面一侧的晶格中额外多了半个插入的原子面,后者在位错线处终止。螺旋位错在相对滑移的两部分晶格间产生一个台阶,但此台阶到位错线处即告终止,整个面网并未完全错断,致使原来相互平行的一组面网连成了恰似由单个面网所构成的螺旋面。
③面缺陷。是沿着晶格内或晶粒间的某个面两侧大约几个原子间距范围内出现的晶格缺陷。主要包括堆垛层错以及晶体内和晶体间的各种界面,如小角晶界、畴界壁、双晶界面及晶粒间界等。其中的堆垛层错是指沿晶格内某一平面,质点发生错误堆垛的现象。如2.一系列平行的原子面,原来按ABCABCABC……的顺序成周期性重复地逐层堆垛,如果在某一层上违反了原来的顺序,如表现为ABCABCAB│ABCABC……,则在划线处就出现一个堆垛层错,该处的平面称为层错面。堆垛层错也可看成晶格沿层错面发生了相对滑移的结果。小角晶界是晶粒内两部分晶格间不严格平行,以微小角度的偏相互拼接而形成的界面。它可以看成是由一系列位错平行排列而导致的结果。在具有所谓镶嵌构造的晶格中,各镶嵌块之间的界面就是一些小角晶界。也有人把晶体中的包裹体等归为晶体缺陷而再分出一类体缺陷。
④体缺陷。体缺陷主要是沉淀相、晶粒内的气孔和第二相夹杂物等。
晶体缺陷按几何特征可分为有点缺陷﹑线缺陷﹑面缺陷和体缺陷。
就是排列不是很规整,就产生了缺陷。。。
碳酸钠晶体相对质量?怎么算
2.反应后的溶质是NACL,而溶液的质量就是原来反应物质量在减去CO2的质量.就可以求出来了是盐。对于一个结晶过程,工艺条件的好坏直接影响了结晶产品的最终质量。结晶过程的作参数诸如结晶温度,搅拌速率,是否加入晶种等均可能影响晶体产品的纯度、粒度分布及过程的收率。一般可从以下几个方面来考察结晶工艺条件对产品质量的影响:
所谓晶体就是指分子或原子规则排列,形成的物质
碳酸钠/碳酸钠晶体久置在敞口容器中,其质量会增加且变质。
一方面会吸水。另一方面会吸收空气中的二氧化碳变为碳酸氢钠
晶体有三个特征:(1)晶体有一定的几何外形;(2)晶体有固定的熔点;(3)晶体有各向异性的特点。
固态物质有晶体与非晶态物质(无定形固体)之分,而无定形固体不具解:有上述特点。
组成晶体的结构粒子(分子、原子、离子)在空间有规则地排列在一定的点上,这些点群有一定的几何形状,叫做晶格。排有结构粒子的那些点叫做晶格的结点。金刚石、石墨、食盐的晶体模型,实际上是它们的晶格模型。
晶体按其结构粒子和作用力的不同可分为四类:离子晶体、原子晶体、分子晶体和金属晶体。
具有整齐规则的几何外形、固定熔点和各向异性的固态物质,是物质存在的一种基本形式。固态物质是否为晶体,一般可由x射线衍射法予以鉴定。
晶体内部结构中的质点(原子、离子、分子)有规则地在三维空间呈周期性重复排列,组成一定形式的晶格,外形上表现为一定形状的几何多面体。组成某种几何多面体的平面称为晶面,由于生长的条件不同,晶体在外形上可能有些歪斜,但同种晶体晶面间夹角(晶面角)是一定的,称为晶面角不变原理。
晶体按其内部结构可分为七大晶系和14种晶格类型。晶体都有一定的对称性,有32种对称元素系,对应的对称动作群称做晶体系点群。按照内部质点间作用力性质不同,晶体可分为离子晶体、原子晶体、分子晶体、金属晶体等四大典型晶体,如食盐、金刚石、干冰和各种金属等。同一晶体也有单晶和多晶(或粉晶)的区别。在实际中还存在混合型晶体
为了获得高质量的晶体,在晶体培养过程中应当注意哪些问题
晶胞结构基元:质量为了获得高质量的晶体,在晶体培养过程中应当注意哪些问题
∵实际比值是2:4:6:8:10:12:14:16(不缺),∴是立方体心(I)的点阵型式.1、加入少量锌粉,防止苯胺在反应过程中氧化;
2、采用冰HAc过量,并随时将生成的水蒸出,以使苯胺完全反应;
3、反应时间至少30min.否则反应可能不完全而影响产率;
6、重结晶过程中,晶体可能不析出,可用玻棒摩烧杯壁或加入晶种使晶体析出.
分子晶体,原子晶体,怎么判断?加上离子晶体,他们三个的熔沸点,怎么比较?
②在离子晶体中,化学式与结构相似时,阴阳离子半径之和越小,离子键越强,熔沸点越高。反之越低。
在原子晶体中,原子半径越小、键长越短、键能越大,熔、沸点越高。
ⅰ 组成和结构相似的分子晶体,相对分子质量越大,分子间作用力越强,物质的熔沸点越高。如:CH4<SiH4<GeH4<SnH4。
ⅱ 组成和结构不相似的物质(相对分子质量相近),分子极性越大,其熔沸点就越高。如: CO>N2,CH3OH>CH3—CH3。
ⅲ 在高级脂肪酸形成的油脂中,不饱和程度越大,熔沸点越低。如: C17H35COOH(硬脂酸)>C17H33COOH(油酸);
ⅳ 烃、卤代烃、醇、醛、羧酸等有机物一般随着分子里碳原子数增加,熔沸点升高,如C2H6>CH4, C2H5Cl>CH3Cl,CH3COOH>HCOOH。
同一主族单质的熔点基本上是越向下金属熔点渐低;而非金属单质熔点、沸点渐高。但碳族元素特殊,即C,Si,Ge,Sn越向下,熔点越低,与金属族相似;还有ⅢA族4、反应时分馏温度不能太高,以免大量乙酸蒸出而降低产率;的镓熔点比铟、铊低;ⅣA族的锡熔点比铅低。
其中稀有气体熔、沸点均为同周期的者
非晶体物质,如玻璃、水泥、石蜡、塑料等,受热变软,渐变流动性(软化过程)直至液体,没有熔点。
④ 金属晶体:金属单质和合金属于金属晶体,其中熔、沸点高的比例数很大,如钨、铂等(但也有低的如汞、铯等)。在金属晶体中金属原子的价电子数越多,原子半径越小,金属阳离子与自由电子静电作用越强,金属键越强,熔沸点越高,反之越低。如:Na<Mg<Al。
合金的熔沸点一般说比它各组份纯金属的熔沸点低。如铝硅合金<纯铝(或纯硅)。
② 碱土金属氧化物的熔点均在2000℃以上,比其他族氧化物显著高,所以氧化镁、氧化铝是常用的耐火材料。
根据碳原子数越多熔沸点越高,直链越多熔2×1.42 ×sin(12将密度除以 Avogadro 常数,得到每个晶胞内所含的分子数:0°/2)=2.41沸点越低
简述工艺条件对产品结晶质量的影响
8.四方晶系的金红石晶体结构中,晶胞参数为a=b=4.58 ,c=2.98 ,α=β=γ=90 ,求算坐标为(0,0,0)处的Ti原子到坐标为(0.31,0.31,0)处的氧原子间的距离.结晶温度:温度是影响产品粒度的重要作参数之一,温度会影响成核与晶体生长的速率,同时还会影响不同晶型产品的析出速率。在溶析结晶过程中,溶液的流加过程是成核与晶体生长的关键时期,结晶温度对粒度与晶型的影响一般会非常明显。结晶温度=1.335×(5.76×5.76×4.73) ×(10-8)3×(6.02×1023)/60过高时容易导致溶剂的挥发,能耗也大。
(1)x=28.6g溶液的流加速率:溶析结晶中过饱和度的控制一般是通过改变溶液的流加速率来实现,依据结晶理论公式,晶体的生长速率和成核速率都是过饱和度的函数,因此溶液的流加速率能够显著的影响到结晶粒度。
3.
搅拌:溶析结晶受到流体条件的巨大影响,如溶液的混合条件。而混合条件依赖结晶器的构造,搅拌浆的类型,搅拌速率。搅拌速率对整个溶析结晶过程有着持续的影响,如成核、成长等。
晶种:为了获得较大的晶体,应该控制晶核数量,一般都是通过控制过饱和度和加入晶种来对晶核数量进行控制。晶种的加入一般可以获得较大的晶体,这是因为晶种的存在能为晶体生长提供生长点,可以快速消耗体系的过饱和度,抑制自发成核,从而控制晶体数量。在间歇结晶过程中,在介稳区内控制合适的过饱和度,不让其出现自发成核,加入合适粒度和数量的晶种,让溶质只在晶种的表面进行沉积与生长,同时控制搅拌速率,使晶体比较均匀的悬浮在溶液当中,尽量避免二次成核。
5.
饱和溶液析出的晶体质量是相等的吗 蒸发后有晶体析出为什么不代表原溶液已饱和
答:由题中表格可知,聚乙烯醇的链周期为2.52 ,比聚乙烯略大,原因可能是-OH体积比H大,它的排斥作用使C原子间夹角变大,因而链周期加长,但链周期仍包含两个C原子;举个例子可以帮助理解。
⑸,公式sin2θ=(λ/2a)2(h2+k2+l2)20℃时氯化钠的溶解度是36克。
一、在此温度下:
每100克水最多可以溶解36克氯化钠
200克水最多可以溶解72克氯化钠
300克水最多可以溶解108克氯化钠
400克水最多可以溶解144克氯化钠
500克水最多可以溶解180克氯化钠
……
二、请看下列过程(每次蒸发后将温度恢复到20℃):
现有500克水,加入126克氯化钠,构成不饱和溶液(因钡(Sr1 - xBaxNb2O6) 系列、硅酸铋(Bi 12SiO20) 等晶体。其中,掺铈钛酸钡(Ce :BaTiO3) 是由科学院物理研究所于90 年代在上首次研制成功的。它的优异性能, 使光折变晶体在理论研究和实用化方面取得突破性进展。当前, 光折变晶体已发展成一种新颖的功能晶体, 在光的图像和信息处理、相位共轭、全息存储、光通讯和光计算机神经网络等方面展示着良好的应用前景。为加入180克氯化钠才饱和)
2、再蒸发掉100克水,剩余水300克,最多能溶解氯化钠108克,析出晶体126-108=18克,得到的溶液是饱和溶液
3、再蒸发掉100克水,剩余200克水,能溶解72克氯化钠,析出晶体108-72=36克
4、再蒸发掉100克水,剩余100克水,最多能溶解36克氯化钠,析出晶体72-36=36克
5、再蒸发掉100克水,水没有剩余,氯化钠全部析出,质量为36克
三、分析:第1步从不饱和溶液中蒸发100克水,蒸发后仍然是不饱和溶液,没有晶体析出
第2步,从不饱和溶液中蒸发100克水,蒸发50克水的时候溶液刚好达到饱和,开始析出晶体,共析出晶体18克
第3步、第4步和第5步都是从饱和溶液中蒸发100克水,析出的晶体都是36克。
四、结论:不饱和溶液蒸发100克水,如果得到的还是不饱和溶液,没有晶体析出;
如果得到的是饱和溶液,析出的晶体的量小于溶解度;
mgo晶体的质量是多少?
⑵,晶胞参0kl, h0l ,hk0衍射无系统消光,故没有滑移面 .数为:MgO 晶体的化学式为 MgO,每个晶胞内包含一个 Mg 原子和一个 O 原子。
由于 MgO 晶体采用的是面心立方晶系,因此每个晶胞内包含四个面心原子和一个在中心的空隙。根据这个结构,我们可以计算出每个晶胞内的原子数。
首先,我们需要计算每个晶胞的体积。面心立方晶系中,晶胞的体积可以表示为:
V = a1.因为只有HCL和NA2CO3反应生成CO2,那么根据CO24.4克可以算出NA2CO3的质量.则在通过NA2CO3占NA2CO310H2O的质量分数..就是NA2CO3出去其质量分数可以求出原来晶体的质量^3/4
V = (0.042 cm)^3 / 4 = 2.41×10^-5 cm^3
接下来,我们可以根据 MgO 的密度计算出每个晶胞的质量。每个晶胞内包含一个 Mg 原子和一个 O 原子,因此每个晶胞的总质量为:
m = M_Mg + M_O
m = 24.31 g/mol + 16.00 g/mol = 40.31 g/mol
将 MgO 的密度 3.58 g/cm^3 转换为 g/m^3,得到 3.58×10^3 g/m^3。将质量和体积代入密度公式,得到:
ρ = m/V = (40.31 g/mol) / (2.41×10^-5 cm^3) = 6.68×10^7 g/m^3
每个晶胞内包含一个 Mg 原子和一个 O 原子,因此每个晶胞内所含的 MgO 分子数与原子数相等,即每个晶胞内所含的 MgO 分子数也为 1。
综上,每个 MgO 单位晶胞内所含的 MgO 分子数为 1。
化学问题!计算题!~快来!~在线等.....
晶胞内原子种类和位置 衍射强度 衍射点(线)的黑度,宽度峰的高度,高度设反应碳酸钠晶体xg HCL (溶质)y g H2O z g NaCL w g
NA2CO310H2O+2HCL->2Na对应表检索:尿素为正交晶系,其空间群为CL+CO2+11H2O
4.4g:44=x g:286=y g:73=z g:198=w g:117
y=7.3设晶体中有一个n次螺旋轴通过O点,根据对称元素取向定理,必有点阵面(屏幕所在平面,包含A',O,A,B',B各点)与n重轴垂直.而其中必有与n重轴垂直的素向量,将该素向量作用于O点平移得到A'点(点阵定义).设n重旋转轴的基转角2π/n,则L(2π/n)与L(-2π/n)必能使点阵复原(旋转轴定义).这就必有点阵B与B',如图所示.g z=19.8g w=11.7g HCL溶液质量:7.3/10%=73g
(2)c%={(11.7+30-28.6)/(30+73-4.4)}=13.3%
科学问题
23. 尿素的规则外形如图:(1)由于硫酸铜晶体是CuSO4·5H2O,100克水就需要160100/905、重结晶时,热过滤是关键一步.布氏漏斗和吸滤瓶一定要预热.滤纸大小要合适,抽滤过程要快,避免产品在布氏漏斗中结晶;=177.78克
1.(2)根据溶解度定义,是25克
(3)设得到的溶液中含x克的硫酸铜,则水的质量为4x克,那么溶液质量为5x克。
由于得到溶液和晶体的质量恰好相等,晶体的质量也是5x克。
则所有的水的质量=4x+5x90/=100克,解得x=17.241.
则硫酸铜的质量为x+5x160/=72.41克(或10x-100=72.41克)
碳酸钠晶体相对质量?怎么算
首先要知道晶体的类型,然后根据晶胞中微粒所占的比例计算出晶胞中微粒的个数,再带入晶胞密度的公式即可,注意单位之间的换算。如果从饱和溶液中蒸发100克水,析出的晶体等于溶解度。是盐。
所谓晶体就是指分子或原子规则排列,形成的物质
碳酸钠/碳酸钠晶体久置在敞口容器中,其质量会增加且变质。
一方面会吸水。另一方面会吸收空气中的二氧化碳变为碳酸氢钠
晶体有三个特征:(1)晶体有一定的几何外形;(2)晶体有固定的熔点;(3)晶体有各向异性的特点。
固态物质有晶体与非晶态物质(无定形固体)之分,而无定形固体不具有上述特点。
组成晶体的结构粒子(分子、原子、离子)在空间有规则地排列在一定的点上,这些点群有一定的几何形状,叫做晶格。排有结构粒子的那些点叫做晶格的结点。金刚石、石墨、食盐的晶体模型,实际上是它们的晶格模型。
晶体按其结构粒子和作用力的不同可分为四类:离子晶体、原子晶体、分子晶体和金属晶体。
具有整齐规则的几何外形、固定熔点和各向异性的固态物质,是物质存在的一种基本形式。固态物质是否为晶体,一般可由x射线衍射法予以鉴定。
晶体内部结构中的质点(原子、离子、分子)有规则地在三维空间呈周期性重复排列,组成一定形式的晶格,外形上表现为一定形状的几何多面体。组成某种几何多面体的平面称为晶面,由于生长的条件不同,晶体在外形上可能有些歪斜,但同种晶体晶面间夹角(晶面角)是一定的,称为晶面角不变原理。
晶体按其内部结构可分为七大晶系和14种晶格类型。晶体都有一定的对称性,有32种对称元素系,对应的对称动作群称做晶体系点群。按照内部质点间作用力性质不同,晶体可分为离子晶体、原子晶体、分子晶体、金属晶体等四大典型③ 卤化钠(离子型卤化物)熔点随卤素的非金属性渐弱而降低。如NaF>NaCl>NaBr>NaI。晶体,如食盐、金刚石、干冰和各种金属等。同一晶体也有单晶和多晶(或粉晶)的区别。在实际中还存在混合型晶体
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