mos管的三个极_mos管的三个极怎么接

三极管和MOS管有什么区别

功率管与三极管的区别：

mos管的三个极_mos管的三个极怎么接

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2、在原理上不同:双极型半导体三极管在原理上是输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。而功率管在原理上仅仅是作为一个双网络，然后输出电压。

3、在使用上不同:功率的使用是通过放大和利用三极管的电流放大原理将电源的能量转化成需要的能量形式（模拟、数字等）。而三极管的使用是需要通过两个极管来发挥它的作用。

扩展资料：在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源了；

由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.

参考资料：

参考资料:

三由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。极管和MOS管的区别：

1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.

2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。

3、功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。

4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

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一、三极管：

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

二、MOS管：

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

主要区别如下：

1.原理不同:

2.使用功能不同:

功率的使用是通过放大和利用三极管的电流放大原理将电源的能量转化成需要的能量形式（模拟、数字等）。而三极管的使用是需要通过两个极管来发挥它的作用。

半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流 放大和开关作用。而功率管是三极管分类中的一种分类，所涉及的范围是很小的，只是作为三极管的一个分支。

三极管和MOS管的区分方法如下：

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流 放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。

三极管的分类:

a.按材质分: 硅管、锗管

b.按结构分: NPN 、 PNP

也就是说功率管也是三极管.而功率管又分低频小功率管、高频小功率管、低频大功率管、高频大功率管几类，这可以从其型号的的字母区分开来（国内标准依此等同为：X、G、D、A）。

功率放大（功放）：利用三极管的电流放大原理将电源的能量转化成需要的能量形式（模拟、数字等）。按照使用结构分为：

A、甲类功放：信号的整个周期内都有电流流过三极管。静态工作点位于交流负载线的中间，静态(输入信号为0)时电源仍然消耗功率，效率只能达到50%。

B、乙类功放：信号只在半个周期有电流流过三极管。静态工作点在 IB=0 处静态时，电源不消耗功率，效率可达到80％左右。

C、甲乙类功放：信号的大半个周期有电流流过三极管。静态工作点偏低，静态时电源消耗的功率较小，效率大于50％。

当然。还有一些变化的电路（含IC）：乙类互补对称电路 （OTL电路）。

一个是电流驱动型（三极管）；一个是电压驱动型（ＭＯＳ）；2、三极管便宜，mos管贵。

3、三极管损耗大。

三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。

MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极模电 第4.1.2有详细描述。或漏极控制电流比较敏感的地方。

一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管

三极管就是指晶体管，和场效应管（MOS）的区别是，晶体管是通过改变基极发射极回路的电流，控制集电极电流，它的线性电压只有26mV，场效应管是能过改变栅源之间的电压来控制漏极电流的，场效应管的输入电压很宽，输入电压可以是几伏或十几伏。

MOS是高阻抗的控制元件，G 可以控制DS的电流大小

可控硅是开关元件，分为单向可控硅和双向可控硅两种。他不能够控制电流的大小，只能够控制开关。

这个是我写的，呵呵

MOS是高阻抗的控制元件，G 可以控制DS的电流大小

可控硅是开关元件，分为单向可控硅和双向可控硅两种。他不能够控制电流的大小，只能够控制开关。

MOS管的可变电阻区和恒流区分别对应三极管的哪个区？为什么？网上有说MOS管的饱和区即是放大区 不是很理解

另外MOS管的饱和区就是指的它自己的恒流区，一般选择此区域做放大，亦即放大区。

如果从 Id（ic） VS. vds（vce）输出特性曲线上看：

三个名字是从英文而来的。

MOS管的可变电阻区 对应 三极管的饱和区。

MOS的恒流对应三极管放大是对的。

mos管导通电压大小是多大啊？为什么mos管需要栅极驱动电路，而类似的三极管不需要呢？

源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集MOS管和管的选择：电作用的电极。

MOS管是由电压驱动的，但MOS管GS极之间有个小“电容”，给这个电容充电需要一定的时间，原则上充电过程越快越好，慢了会使MOS管发热，了会直接烧坏。栅极驱动电路的作用就是使“电容”更快充电，使MOS管导通或关断速度更快。

大功率三极管也需要电流驱动电路啊，提供三极管导通所需的基极电流。

高分悬赏!谁能用最通俗的语言给我讲清楚MOS管的主要功用,及工作原理

由于三极管导通后G接是接地的，所以要考虑MOS管的GS电压是多少，就在MOS管的G与三极管C极间加个电阻，同时MOS管的G极与S极间接一个电阻；这样三极管导通后MOS极的电压就是两个电阻的分压（适当的选择电阻，电压必需是小于MOS导通电压，又不能小于MOS管的GS电压）

MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。从图1(a)可同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压vGS=0时，即使加上漏-源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。

由上述分析可知，N沟道增强型MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成，此时在漏-源极间加上正向电压vDS，才有漏极电生。而且vGS增大时，沟道变厚，沟道电阻减小，iD增大。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。

mos管就是用低电压控制导通。mos管有三个极，栅极，漏极，源极，可以用一个极控制其他2个极的导通。主要是控制。

类似于三极管，你要一点电子知识也没有，那就说不明白了

PMOS管G极一般接NPN三极管什么极

栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。electrode，电极。

PMOS管G极都是接NPN三极管的C极。

三极管是怎么驱动mos管的?

4、mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管（简称P型三极管）和PNP型三极管（简称N型三极管）

MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极第二步: 用万用表二极管档测任意两极间不短路. 共测六次, 其中NMOS管S红D黑时(PMOS管S黑D红), 有个相当于二极管的读数, 所有其它读数都为无穷大(1)为完好.电流的变化。有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MOS管（简称NMOS）

G级接一个1k欧姆的电阻，对地并一个10nf的电容。

因为它是一只猴子。

请问开关三极管IRF9504N的三个极是怎么区分好的，坏。

（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

IRF9504是MOS管. MOS管最容易出的故障是静电击穿, 判断击穿的办法是:

步, 放电, 用导线将GDS互联即可. 不放电所得的测试结论90%是错误的.:

未找到手册，可以试一下：

判断有没有阻尼二极管：万用表测，GS短路，测D笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，S端，是否有二极管，若没有，应该不通。

不符合上述现象，估计为坏的。

求详解:MOS管，三极管，功率管，开关管之间的联系与区别

.场效应管是单极、三极管是双极区别.

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）、三极管（Bipolar Junction Transistor）、功率管（Power Transistor）和开关管（Switching Transistor）是电子器件中常见的四种晶体管，它们之间有以下的联系和区别：

1. 结构：MOS管和三极管的结构有很大的不同。MOS管是一种场效应晶体管，由金属、氧化物和半导体材料构成，具有栅极、漏极和源极三个端子；而三极管是一种双极（双极性）晶体管，由两个PN结组成，具有发射极、基极和集电极三个端子。

2. 工作方式：MOS管是电场控制型晶体管，通过对栅极电压的调节来控制栅极与源极之间的电流；而三极管是电流控制型晶体管，通过基极电流来控制集电极与发射极之间的电流。

3. 输入输出关系：MOS管和三极管的输入输出关系也有所不同。MOS管的输入电流极小，可以看作高阻抗的输入端，输出电流由电压控制；而三极管的输入电流较大，可以看作低阻抗的输入端，输出电流由电流控制。

4. 用途：功率管是指能够承受较大功率并驱动大电流的晶体管。通常，功率管可以是MOS管或三极管，具体的应用会根据需求来选择使用哪种类型的功率管。例如，MOS功率管在高频应用中性能更好，而三极管功率管在高温环境下更可靠。

5. 开关特性：开关管是一种能够迅速开关电路的晶体管，具有较快的开关速度和较低的开关损耗。MOS管和三极管都可以作为开关管使用，但MOS管的开关速度更快，开关损耗更低。

综上所述，MOS管、三极管、功率管和开关管在结构、工作方式、输入输出双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。关系、用途和开关特性方面存在一些区别。选择适合的晶体管类型需要考虑具体的应用需求和性能要求。

MOS管和三极管有什么区别？

对于CPU供电电路，由于现在的CPU功耗非常大，从低负荷到满负荷，电流的变化是非常大的。为了保证CPU能够在快速的负荷变化中，不会因为电流供应不上而歇菜，CPU供电电路要求具有非常快速的大电流响应能力。供电电路中的MOSFET，电感线圈和电容都会影响到这一能力。一个最理想的状态是，厂商使用最快速的MOSFET，高磁通量粗导线的电感线圈，以及超低ESR的输入输出电容。但实际上，出于成本的考虑，并不能实现。不同的主板厂商，对选料的着重点不一样。甲厂商可能会选用快速的MOSFET，快速的MOSFET的开关噪声比较小，这样就可以将输入输出的电容等级下降一点。In的主板使用高导磁的电感磁芯（降低了线圈的损耗电流），因此它的线圈使用单根比较粗一点的就可以了。但大多数厂商会使用便宜一点的磁芯，使用三线并绕的方式来解决，这样即使损耗大一些，线圈也不会发太多的热。对于输入输出电容，一般的要求是，输入电容要尽可能的大，相对容量的要求，对ESR的要求可以降低一点，因为输入电容主要是耐压，其次要吸收MOSFET的开关脉冲，对输出电容，耐压得要求和容量可以低一点（In的主板，这部分的电容往往都是4~6.3V，470~680左右的容量），ESR的要求要高一点，因为要保证足够的电流通过量，但并不是越低越好，低ESR电容会引起开关电路振荡，而消振电路比较复杂，而且会增加很大的成本。因此厂商往往会在实验电路板上得出一个合适的参数值，然后以此作为元件选用参数，这样可以不用消振电路.

MOS管和三极管有什么区别如下：

1、控制原理不同

MOS管用电压控制，三极管用电流控制。

2、成本造价不同

MOS管造价贵，三极管造价低。

MOS管功耗低，三极管功耗大。

4、驱动能力不同

MOS管常用于电源开关以及大电流地方开关电路，三极管常用于电源开关以及小电流地方开关电路。

扩展资料：

1、只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用MOS管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。

2、电力电子技术中提及的单极器件是指只靠一种载流子导电的器件，双极器件是指靠两种载流子导电的器件。MOS管是应用一种多数载流子导电，所以称之为单极型器件。而三极管是既有多数载流子，也应用少数载流子导电，被称之为双极型器件。

3、有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。

4、MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很便当地把很多MOS管集成在一块硅片上，因此MOS管在大范围集成电路中得到了普遍的应用。

5、MOS管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被普遍应用于各种电子设备中。特别用MOS管做整个电子设备的输入级，可以获得普通三极管很难抵达的性能。

6、MOS管分红结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。

参考资料：

区别：

1、载流子：

三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

MOS管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子

3、损耗：三极管损耗大，MOS管损耗小

4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路

5、速度：MOS管开关速度不高，三极管开关速度高

6、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制

7、阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。

8、频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。

扩展资料

三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

MOS管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。

三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。

一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。

参考资料：

三极管和MOS管在功能上有很多相似的地方，但是这两种元件有什么区别？用一个电路告诉你

功率管与三极管的区别：

2、在原理上不同:双极型半导体三极管在原理上是输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。而功率管在原理上仅仅是作为一个双网络，然后输出电压。

3、在使用上不同:功率的使用是通过放大和利用三极管的电流放大原理将电源的能量转化成需要的能量形式（模拟、数字等）。而三极管的使用是需要通过两个极管来发挥它的作用。

扩展资料：在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同1、在所涉及的范围上不同:半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流 放大和开关作用。而功率管是三极管分类中的一种分类，所涉及的范围是很小的，只是作为三极管的一个分支。时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源了；

由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.

参考资料：

参考资料:

1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.

2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。

3、功耗问题：三极管损耗大。

4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。

MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管

实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。

（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

（5）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。

（6）场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的

二极管 三极管MOS管之间有什么联系和区别?

由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。

这三种管都是半导体2、成本：三极管便宜，MOS管贵器件。

1.二极管是将PN结加上相应的电极引线和管壳就成为半导体二极管。适用于高频和小功率的工作，也用作数字电路中的开关元件。

2.三极管简称晶体管，分为NPN型和PNP型两种，是最重要的一种半导体器件。它用于放大作用和开关作用。

3.MOS管也称为场效应管，是一种较新型的半导体器件。外形与普通晶体管相似，但两者的控制特性却截然不同。

普能晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的，到信号源必须提供一定的电流才能工作。

MOS管则是电压控制元件，它的输出电流决定于输入端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻很高，这是它的突出特点。它广泛应用于放大电路和数字电路。

mos管 电极b是干什么的？谢谢！

有些芯片中的mos管会将衬底引出，以达到某些作用。这个电极就叫B极。引出衬底的mos只在集成电路中出现，一般的mos管是没有B极的，因为没必要。引出B极使用起来反而更麻烦，又不常用到。B极直接跟S极接在一起，只有三个极引出。

起控制C、E极导通的作用。

场管没有B，只有DSG，按照模型，三极管用万用表的二极管档（或1k~10k电阻档）测量，三极管的发射极和集电极都对基极单向导通，而发设计和集电极之间互不导通；利用这一点可以确定是否三极管以及类型（PNP管或NPN管）；场效应管则比较复杂，增强型和耗尽型的特点都不一样，但是栅极对源极和漏极一定是不导通的，MOS管也一样，MOS管也是场效应管的一种，只是输入阻抗更高而已。的B，就相当於MOS的G

MOS管没B极 只有三极管才有B极，不知道你是不是说G极？G极相当于一个开关。

四个电极，漏极D 栅极G 源MOS管的恒流区 对应 三极管的放大区。极S 衬底极B