场效应管工作电压_场效应管电压选择

场效应管工作原理是电压控制电流吗？

2、场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。

扩展资料：工作原理：宏观是的。

场效应管工作电压_场效应管电压选择

场效应管工作电压_场效应管电压选择

当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为1.2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于MOSFET管开启电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载负极被负载电源正极拉高，负载不工作。（这里只用最易理解的语言说说用法，事实上MOSFET的开启和关闭取决于栅极/基极(G)和源极(S)之间的正压）

三极管和场效应管工作原理3D动画，直观的了解其电流走向

是的

基本上可以这样理解

ASE20N65SE-ASEMI场效应管的Vds是电压吗？

当栅极/基极(G)电扩展资料压大于MOSFET管开启电压（通常为1.2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。

是的，ASE20N65SE-ASEMI场效应管中的Vds是指场效应管的漏极-源极电压，即在场效应管中两个极间的电压，通常用伏特（V）作为单位。Vds是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的工作状态和性能特征，例如开启状态、截止状态、漏电流等。因此，在选择和使用场效应管时，需要根据具体的应用要求和电路设计，选择合适的Vds值。

这样，我们只要控制MOSFET的栅极/基极(G)电压有无，即可控制负载的工作与不工作，形成一个开关效应。MOSFET管的开关时间非常快，一般在纳秒极，你就认为是瞬间开启/关闭就可以了，在MOSFET管内部是没有延迟的。

场效应管的工作原理是什么？

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过渡层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

关于场效应管的工作原理，网上（包括百度百科）都是这么说：“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”，其实这句话就是一个病句，很拗口，让人很难理解；

②“漏极-源极间流经沟道的ID”和这句话的“ID”重复，例如“电机转速，用（以）变频器来控制电机转速”，是不是觉得这句也很拗口，很别扭？正确的说法是“电机转速，用变频器来控制”或者是“用变频器来控制电机转速”；

综上所述：这句话应该是“漏极-源极间流经沟道的ID，用（以）栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压来控制”或者是“用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压来控制漏极-源极间流经沟道的ID”，这才是场效应管工作原理的正确描述

场效应管你内3、记得好像小功率管可以互换，不知道大功率管可以不。部结构，工作原理和电路中的几种用法

晶体管原理，教科书上确实讲得太复杂，读起来头疼。

让我们先从场效应管说起吧：

场效应管FET，用水龙头作比喻，还是比较贴切的。

水流，可比喻为电流；

拧开龙头，放水；场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。关闭龙头，水即停止；

以耗尽型FET为例：它是一个导电沟道（纯粹的N型或P型沟道），门极不加电压时，沟道畅通无阻；当门极施加6V电压时，沟道关闭(相当于水龙头关闭)；6V电压称之为夹断电压Vp；

调节门极电压0－6V，还能控制沟道电流Id大小。就象水龙头能调节水流大小一样。

关于三极管，打另一个比喻。

基级电流Ib很会做生意，善于鼓吹，招蜂引蝶，引来了一大帮客人（载流子）。

但这些客人（载流子）中，只有一小部分客人进了基极自己的店，大部分的客人被基极卖猪仔，卖给了集电极Ic。

集电极自己没有客源（载流子），全靠基极卖猪仔。所以，基极电流控制了集电极电流Ic。

就这么简单。原创作品，希望给我加分鼓励。

ASE20N65SE-ASEMI场效应管的Vds是电压吗？

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、4.场效应管可以方便地用作恒流源。动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

是的，ASE20N65SE-ASEMI场效应管中的Vds是指场效应管的漏极-源极电压，即在场效应管中两个极间的电压，通常用伏特（V）作为单位。Vds是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的工作状态和性能特征，例如开启状态、截止状态、漏电流等。因此，在选择和使用场效应管时，需要根据具体的应用要求和电路设计，选择合适的Vds值。

不同点：

什么是场效应管？

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

N沟道MOSFET管用法】：（栅极G高电平D与S 间导通，栅极G低电平D与S间 截止，P沟道与之相反）

场效应管属于电压控制元件，这一特点类似于电子管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

特点:

（1）场效应管是电压件，它通过VGS来控制ID；

（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管的抗辐射能力强；

（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低

主要作用

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻抗非5.场效应管可以用作电子开关。常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

5.场效应管可以用作电子开关

产品特性

(2)输出特性： UDS与ID的关系称为输出特性。

使用优势

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

深圳市瑞光电子经营部 就是专门卖仙童场效应管的 有空百度看看 挺不错的

k2225场效应管在震荡电路中栅极和源极的工作电压是多少，现在我维修一台变频器测得漏源电压540

现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压件(晶体管是电流件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压件所以噪声小,其结构简图如图C-a.场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的.在制造场效应管时,如果在栅极材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当Vgs=0时Id(漏极电流)=0,只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏极电生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压.耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻).结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型栅场效应管代

整体电压低应该从稳压采样部分查，而不是查栅源电压。看看TL431，431的外围取样电阻，光耦等。

场效应管电压放大型的场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型和P沟道型，一般使用N沟道型可带来便捷性。，它的放大参数是：互导（单位A/V）

场效应管原理

(1)转移特性：栅4、区别四：三极管属于电流件，有输入电流才会有输出电流。场效应管属于电压件，没有输入电流也会有输出电流。极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。当然在电路中就不同了，比如输入电阻，当然是场效应管高，因为它内只要电压，不需要电流。等等

MOS管的工作原理

mos管工作原理 N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N；mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关下面指出这句话“病”在哪里；①“用”和“以”两字重复，“用”和“以”字都是用对象甲来做成对象乙的意思，例如“用（以）变频器来控制电机转速”；但是“用以”的意思就完全不同了，“用以”的意思是对象甲用以做成对象乙，例如“变频器用以控制电机转速”，如果你说“用以变频器控制电机转速”是不是觉得非常拗口，非常不好理解？拗口就对了，因为这就是一个病句；电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制；简单的说MOS管通过沟道导电，沟道上的栅极偏压不同可以控制沟道导电电阻，从而达到饱和导通或者完全关栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源正极，漏极(D)接负载输入正极，负载输出负极直接接负载电源负极（模拟地）。闭夹断具体的在模拟电子线路或者半导体技术的书上讲的详细；MOS管的工作原理以N沟道增强型MOS场效应管它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID 深铭易购是一家品质的电子配件商城，有需要的话可以去了解；工作原理MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该；场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的；在VGS=0V时ID=0，只有当VGSVGSth后才会出现漏极电流，所以，这种MOS管称为增强型MOS管VGS对漏极电流的控制关系可用iD=fVGSthVDS=const这一曲线描述，称为转移特性曲线，如下图 增强型场效应管工作原理 1N沟道增强型；MOS晶体管，也就是绝缘栅场效应晶体管，又叫金属氧化物半导体场效应晶体管，利用半导体的场效应，进行信号放大就是利用栅极控制电压形成的电场，来控制沟道里感应电荷的多少，进而改变导电沟道的状态，达到控制漏极电流的。

耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止还有一种MOS晶体管，叫做MOS栅极控制晶闸管，是一种新型MOS与双极复合型器件它采用集成电路工艺，在；一般来说，MOS管两个一组出现在主板上工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比β另一种晶(3)结型场效应管的放大作用：结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出；mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小以N型MOS管四端器件为例NMOS管四端分别是DGSB，即漏Drain栅Gate源Source以及体Body；因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPUAGP插槽内存插槽附近其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管一般来说，MOS管两个一组出现在主板上工作原理双极晶体管将输入端的小。

MOS管一般有耗尽型和增强型两种以增强型MOS为例分析mos管由漏极源极和栅极组成，还分为N沟和P沟两种mos管首先我们将漏极接到电源正极，源极接到电源负极对mos管而言，在栅极无电压情况下，源极与漏极之间是；MOS管的工作原理先考察一个更简单的器件－MOS电容－能更好的理解MOS管这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。

场效应管做开关

将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

1、串联电阻不需要计算，取一个大点的数值就可以，因为场效应管输入阻抗很高。

但栅极有电容，实际使用，还是要考虑驱动电流的。尤其频率高时

2、也许3.3V电压太低，不能使场效应管开启。

解其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。决方案：

（1）在P1.0到电源之间接一个5K的上拉电阻，看看行不行。

（2）如果不行，说明3.3V电压太低，不能使场效应管开启。那么改用三极管；如果坚持使用场效应管，需要中间增加一级三极管电路。用1只9014，集电极接栅极，栅极接电阻R35（改成5-10K），再接电源；9014发射极接地；9014基极接P1.0，P1.0到电源之间接一个10K的上拉电阻。此时低电平有效，不再是原来设计的高电平有效。

一般的MOSFET的Ugs(th)大都在2-4V之间

，3205也不例外。

3205挺好用的，你一直烧掉，估计是电流太大了吧。

PS:还有个问题，你的3205是不是？我以前拿到过3205，很好的。

想学场效应管的工作原理，就得用它的特性制作一些小实验，既有趣味性，又可以加深理解，可以起到事半功百的效果

场效应管作为电子开关的小实验。

三极管和场效应管的相同点和不同点

三极管是电流放大型的，它的放大参度数是：

相同点：都有受控源的抄作用，都是半导体器件

三极管：电流控制电流源器件，基极电流控制集电极电流，两种载百流子参与导电

场效应管：电压控制电流源，栅极电压控制漏极电流，一种载流子导电，输入阻抗很度高，工作噪声小

好,简单说说：

共同点：百

β（1、区别一：场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。而三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。单位A/A）

注：上面的单位是说明之间的关系

场效应管很象过去的容电子管，真空电子管的大部分面板无光说明最基本的5v电源都不正常，其它就还无从谈起。5百多伏直流正常只能说明几只整流管与滤波电容正常，接下来就应先检查电源板了，看看各组输出电压输出正常否。理论在场效应管上都可得到应用。

吴大哥做实验说三极管和场效应管的区别。

请教场效应管的简单接法

场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。

源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)1，N沟道MOSFET管用法：（举例说明，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，具体到你这个电路中，图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法。栅极G高电平D与S间导通，栅极G低电平D与S间截止，P沟道与之相反）接负载输出负就这么简单，FET的门极电压，就象是控制一只水龙头的开关。极，负载输入正极直接接负载电源正极。

由于MOSFET管的快速开关特性，使用高频PWM方波信号对其栅极/基极(G)进行控制，可以在输出端获得超高速切换的平均电压，这个平均电压取决于PWM波的占空比。这就是UBEC或者电调等模型设备的降压和调速原理。这种高频开关降压方法几乎没有能量损失，效率一般在95%以上。

当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）1.2V以上时，源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。

这样负载正极被连通负载电源正极，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）不足1.2V，或栅极/基极(G)电压大于等于源极(S)电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载不工作。

MOSFET场效应管做为快速开关元件的用法就简单说到这里，复杂理论咱不说它，知道怎么用就行了。如果仅仅是作为电子开关使用，也可以简单用三极管代替MOSFET管，只不过三极管的效率、开关速度、开关可靠性远不如MOSFET管。

工作原理

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。

参考资料来源：