3dj6场效应管原理 3dj6场效应管电路图

场效应管工作原理是场效应晶体管。

3dj6场效应管原理 3dj6场效应管电路图

3dj6场效应管原理 3dj6场效应管电路图

3dj6场效应管原理 3dj6场效应管电路图

一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电。

它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

分类

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。

目前在绝缘栅型场效应管中，应用为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属－氧化物－半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

先留个脚印，有时间再答

查资料3DJ6F的漏极电流才12mA，电路输出阻抗，取500Ω，显然无法达到输出信号峰峰值不小于8V的要求。

给你算法参考（17页）

直接用高品质运放更好一些,这年代不需要再费劲去做类似的分离器件线性放大电路,调试麻烦不说,稳定性也值得怀疑。场效应管输入的运放性能就非常好，一致性、稳定性都不错，其他参数也基本满足你所说的要求。供参考。

供你参考

场效应管区分上管下管的方法：

上管指的是P沟道一侧的管，下管指的是N沟道一侧的管。只要把场效应管连入电路，给合理的导通电平，能够实现合理放大，那么高电平端接的就是上管。否则就是接反了，高电平接的就是下管。

场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

如何做 一个场效应管放大电路！

如下图：

场效应管：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。[1]尽管由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。

场效应管放大电路，有电压放大电路，也有电流放大电路，用场效应管进行电流放大理想。

场效应管工作原理是什么?

场效应管是由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件。

场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达107~1012Ω，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，且比后者耗电省，这些优点使之从20世纪60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路之中。

分类：

场效应管可以分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，结型场效应管因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。因为绝缘栅型场效应管的栅极为金属铝，故又称为MOS管。

场效应管按导电方式的不同来划分，可分成耗尽型与增强型。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

用场效应管3DJ6F做一个放大电路

比较专业，不是太懂，呵呵

结型场效应管3dj6f源漏电压20伏，源漏电流15毫安，源漏耗散功率100毫瓦，可以估算出静态输出电阻小为400欧，但是栅源静态偏压无法估算，这属于管子的量子物理（器件）特性！！在没有这两个参数的情况下，实际结型场效应管的静态输出电阻与栅源静态负偏压比晶体三极管更容易测试计算得到！！

先留个脚印，有时间再答

查资料3DJ6F的漏极电流才12mA，电路输出阻抗，取500Ω，显然无法达到输出信号峰峰值不小于8V的要求。

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