请问如何画GTO,GTR ,IGBT,MOSFET四种电力电子器件的符号并标注各引脚名称。

上述提到的器件都属于功率开关器件。若按参与导电的载流子是一种还是两种，可分为单极器件和双极器件。其中属于双极器件的有：scr、gto、gtr以及igbt；单极器件的是功率mosfet。scr是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通，而不像是二极管过了导通电压就能直接导通，但其关断不能通过门极关断，而是将电流减小至某个值以下，或是直接的换向关断。gto是gate

电力晶体管符号_电力晶体管的符号电力晶体管符号_电力晶体管的符号


电力晶体管符号_电力晶体管的符号


电力晶体管符号_电力晶体管的符号


电力晶体管符号_电力晶体管的符号


turn-off

thyristor，

为门极可关断晶闸管，即可以通过控制门极关断晶闸管。gtr应该是giant

transistor，为巨型晶体管，导通工作时要求发射结集电结均正偏，与普通bjt工作类似。以上的器件主要用于大电流，高压，低频场合。而功率mosfet由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。而igbt，为insulated

gate

bipolar

transistor，是绝缘栅双极场效应管，为电压控制电流，栅控器件，其工作频率比普通的双极器件高，电流处理能力比mosfet要强，一般用于中高频中高压领域。

电力晶体管的应用哪些地方

现在谁还用晶体管哦~以前是用到电路里面，比如继电保护，二级，三极管，NPN，PNP等等~现在一般都不用了~晶体管不稳定，易击穿，体积大等等缺点~~现在都不用了

主要用于线路的控制和镇流

电工图纸里面的一些符号

图纸里面的符号一般都是图集里面的

你得看图纸说明，或根据开关设置功能，确定开关作用，一般都有统一符合，只是有些厂家不同，标识不统一

图纸是对应电柜上的元件....一般元件上都标志有

什么是三极管？

晶体三极管的结构和类型

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别

常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

晶体三极管的电流放大作用

晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管基本的和重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

晶体三极管的三种工作状态

截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

使用多用电表检测三极管

三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样多没量12次，总可以找到基极。

三极管类型的判别： 三极管只有两种类型，即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为P型材料，三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通，则说明三极管基极为N型材料，三极管即为PNP型。

9014是非常常见的晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，它是npn型小功率三极管。

一、主要参数：

1.

集电极耗散功率pcm=0.4w（tamb=25℃）；

2.

集电极允许电流icm=0.1a；

3.

集电极基极击穿电压bvcbo=50v；

4.

集电极发射极击穿电压bvceo=45v；

5.

发射极基极击穿电压bvebo=5v；

6.

集电极发射极饱和压降vce(sat)=0.3v

(ic=100ma;

ib=5ma)；

7.

基极发射极饱和压降vbe(sat)=1v

(ic=100ma;

ib=5ma)；

8.

特征频率ft=150mhz；

9.

hfe：

a=60~150;

b=100~300;

c=200~600;

d=400~1000

二、封装形式及管脚：

三、三极管的代换：

可代换的型号:国产的3dg120、3dg12，美国产的2n2222、日本产的2sc943-3sc945等很多型号，基本是只要是npn型小功率管都可直接代换。

百科有

双极晶体管、晶闸管、绝缘栅双极晶体管、场效应管元件的图形符号

二极管不可控；晶闸管、门极可关断晶闸管属于半控器件；剩下的电力晶体管、电力场效应管、绝缘栅双极型晶体管属于全控器件。电力二极管属于单极型器件，电力晶体管属于双极型器件，电力场效应管、绝缘栅双极型晶体管属于复合型电力电子器件。在可控的器件中，绝缘栅双极型晶体管容量，电压驱动的是电力场效应管，属于电流驱动的是电力晶体管。

三极管和晶闸管的区别？ 晶闸管导通具备哪些条件？关断有哪些条件？ 晶闸管工作原理怎么理解？

一、在电力电子中，三极管通常称作电力晶体管（GTR），它是由三层半导体（分别引出集电极C、基极B和发射集E）形成的两个PN结构成，多采用NPN结构。而晶闸管（SCR）内部是PNPN四层半导体结构，分别命名为P1、N1、P2、N2四个区。P1区引出阳极A，N2区引出阴极K，P2区引出门集G。四个区形成三个PN结。所以这两者在结构上就有很大的区别，功能上的区别就更明显了。

二、晶闸管的导通条件：

1、加正向阳极电压。

2、同时加上足够的正向门极电压。

3、并且要有足够的触发功率。

三、使晶闸管有导通变为关断：

在实际电路中，采用阳极电压反向、减小阳极电压或增大回路阻抗等方式，使阳极电流小于维持电流，晶闸管即关断。

四、我不太理解你的问题，你是想知道晶闸管的工作原理还是已经知道其原理，只想大家帮你简单分析一下呢？我简单说说吧。晶闸管的导通原理可以用双晶体管模型来解释。晶闸管被接入某一回路，当其门极注入一定电流I后，导通。撤掉I，晶闸管由于内部已形成了强烈的正反馈会仍然维持导通状态。由于其门极只能控制其开通，不能控制其关断，晶闸管才被称为半控型器件。

晶体管与晶闸管的区别：1、晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100ghz以上。2、晶闸管（thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；晶闸管是pnpn四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“v”、“vt”表示（旧标准中用字母“scr”表示）。