这两套内存条的时序有什么区别呢 数字越大越好吗 什么意思

时序是内存的延迟，越低越好。想高频率的内存条，往往很难压住时序，所以高频率低时序的内存一般都比较贵。

内存条的时序是什么意思？ 内存条时序多少算好内存条的时序是什么意思？ 内存条时序多少算好


内存条的时序是什么意思？ 内存条时序多少算好


图里面左边的频率低，但是时序好一点，右边的频率高，时序稍。按照综合性能来看，右边的强一些。而考虑价格的话，左边的性价比更高，看你取舍了

同频率的内存才当然是时序更小更好，但是不同频率的内存对比时序是没有可比性的。同代内存选购时更重要的参数是频率，你对时序看的太重了

再看看别人怎么说的。

再看看别人怎么说的。

谁解释一下内存时序是什么

1，内存的时序理论上是越低越好，但是前提是保证能够稳定的运行！

2，双通道是否支持要看主板芯片组（比如865PE 875 5以及NF2U KT880等）或者是CPU是否支持（比如939的A64等）

描述内存条性能的主要技术指标是：

1.速度

内存条的速度一般用存取一次数据的时间(单位一般用ns)来作为性能指标，时间越短，速度就越快。普通内存速度只能达到70ns～80ns，EDO内存速度可达到60ns，而SDRAM内存速度则已达到7ns。

注意：内存条的生产厂家非常多，目前还没有形成一个统一的标注规范，所以内存的性能指标不可简单地从内存芯片标注上读出来，但可了解其速度如何，如－70或－60等数字，就表示此内存芯片的速度为70ns或60ns。

2.容量

内存条容量大小有多种规格，早期的30线内存条有256K、1M、4M、8M多种容量，72线的EDO内存则多为4M、8M、16M，而168线的SDRAM内存大多为16M、32M、64M、128MB容量，甚至更高。图5-1是一款独特的64MB内存条。

3.奇偶校验

为检验存取数据是否准确无误，内存条中每8位容量能配备1位做为奇偶校验位，并配合主板的奇偶校验电路对存取的数据进行正确校验。不过，而在实际使用中有无奇偶校验位，对系统性能并没有什么影响，所以目前大多数内存条上已不再加装校验芯片。

注：计算机是以二进制进行计数的，表现为0和1，当机器向内存写入数据时，实际上就是存入代码01，奇偶校验则将单元中存入的代码的个数进行奇偶统计，并将统计的结果保存在奇偶校验位中，当计算机提取内存的数据时，奇偶校验则将统计的结果和实际读出的数据进行比较看是否一致，从而确保了内存数据的正确性。

4.内存的电压

FPM内存和EDO内存均使用5V电压，而SDRAM则使用3.3V电压，在使用中注意主板上的跳线不能设错。

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。

一般数字"A-B-C-D"分别对应的参数是"CL-tRCD-tRP-tRAS"，它们的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS-to-CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，"2-2-2-5"这种序列时序的内存模组确实能够带来比"3-4-4-8"更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

内存时序到底是什么意思？越大越好？还是越小越好呢？

到底什么是内存时序？为何都说买内存外行看频率，内行看时序

在给电脑购买内存的时候，大多数人会注重看内存的容量和频率参数，一般来说容量越大越好，频率越高越好。当然，这两个参数很重要，但还有另一个重要参数往往被大家忽略，它便是内存时序。那么，什么是内存时序，它对内存性能又会有哪些影响？本期科普，闪德君就带大家一起来认识认识这一内存参数。

时序会对内存芯片上各种常见作之间的延迟产生影响，如果延迟超过一定限度，就会影响到内存的性能。一句话来概括，内存的时序是对内存在执行其各种作时可能经历的固有延迟的描述。

内存的时序是以时钟周期来衡量的，大家可能在内存条的产品页面上看到一串由破折号分隔的数字，比如16-18-18-38，这些数字便被称为内存时序。本质上来讲，由于它们代表了延迟，所以时序自然越低越好。这四个数字代表了所谓的 「主要时序」，对延迟的影响最为显著。

内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位都是时间周期。其中CL（CAS Latency）表示「列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数」；tRCD（RAS to CAS Delay）表示「内存行地址传输到列地址的延迟时间」；tRP（RAS Precharge Time）表示「内存行地址选通脉冲预充电时间」；tRAS（RAS Active Time）表示「行地址激活的时间」。

看完上面这些，大家是不是更迷惑了？别急，下面我们举个简单例子来讲讲。

我们可以把内存存储数据的地方想象成一个网格，且每个方格都存储着不同的数据，CPU需要什么数据，就向内存发出相应的指令。

比如CPU想要C3位置的数据。内存在接收到CPU的指令后，要先确定数据具体在哪一行，时序的第二个参数tRCD就代表这个时间，意思是内存接收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。

内存确定了数据所在的行之后，要想找出数据，还得确定列。时序的个数字也就是CL，就表示内存确定行数之后，还要等待多长时间，才能访问具体的列。

确定了行数和列数之后，就能准确找到目标数据，所以CL是一个准确的值，任何改动都会影响目标数据的位置，所以它在时序中是最关键的一个参数，对内存性能的发挥有着举足轻重的作用。

内存时序的第三个参数tRP，就是已经确定了一行，还要再确定另外一行所需要等待的时间。

第四个参数tRAS，可以简单理解成内存写入或读取数据的一个时间，它一般接近于前三个参数的总和。

所以，在保障稳定性的前提下，内存时序越低越好。但我们知道现在有不少内存条都能够超频，而高频率和低时序相互矛盾，一般频率上去了，时序就得有所牺牲，要想时序足够低，频率又很难拔高。比如今年各大存储厂商发布的DDR5内存，频率确实升上去了，但时序也相对DDR4内存来说要高上不少。

内存条时序是什么意思

内存条时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中，可通过参数手动设置。

内存时序的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。

这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。当将内存时序转换为实际的延迟时，最重要的是注意它是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间，就不可能了解一组数字是否比另一组数字更快。

举例来说，DDR3-2000内存的时钟频率是1000 MHz，其时钟周期为1 ns。基于这个1 ns的时钟，CL=7给出的延迟为7 ns。而更快的DDR3-2666（时钟1333 MHz，每个周期0.75 ns）则可能用更大的CL=9，但产生的延迟6.75 ns更短。

现代DIMM包括一个串行存在检测（SPD）ROM芯片，其中包含为自动配置的内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（存在降低稳定性的风险），或在某些情况下增加稳定性（如使用建议的时序）。

以上内容参考