mos管驱动 mos管驱动电阻并联二极管作用

三极管是怎么驱动mos管的?

第二种：（种的变形）

MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MOS管（简称NMOS）

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G级接一个1k欧姆的电阻，对地现在市面上实际应用的多是平面工艺的MOSFET，在开关电源等领域应用非常普遍，一般作为开关管使用。实际的MOSFET有别于理想的MOSFET，栅极和源极，源极和漏极都是存在电容的，要用合适的驱动电路才能使MOS管工作在低导通损耗的开关状态。比如600V的MOS管多用8-12V的栅极电压驱动，并且要求一定的驱动Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间能力。并一个10nf的电容。

因为它是一只猴子。

如何估算MOS管的驱动电流

三极管和MOS管做开关用时可用以下两种方法来区别。

其中：

6、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级。

密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig；

Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；

第Ig=Qg/Ton三种：

以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）定你希望在0.2us内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。

在设计一个Nmos管功率驱动电路来控制48VDC电压的通断，采用IRF3810mos管

在高速开关时，MOSFET的开关损耗很大，用驱动电路可减少MOSFET的mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。开关损耗。

对于场效应管的输入阻抗来说，光耦关断时的漏电流足以使它导通，你应该在场效应管的控制极接一只可以使用如下公式估算：下偏置电阻才行，因为光耦不管是导通还是截止对场效应管来说都是导通状态，在R10和R15下端各接上一只下偏置电阻就行了，取值以光耦导通时的分压足以使场效应管导通，关断时又可以将电压置于接近零为准，哦，R10和R15取值太小了，光耦会烧断的，可以将阻值增大一千倍

MOSFET 为什么要驱动电路

4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关另外控制方面应该也有好处 要具体分析了 像被控电压比驱动逻辑电压高很多的时候电路。

也可以用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全导通状态，上升和下降时间在辐射满足要求的情况下，尽量的陡峭。

3、功耗问题：三极管损耗大。

mosfet的GS间有寄生电容存在 瞬间汲取电流较大

MOS管是什么？

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大从电路看MOS管属于电压件且处于开关工作状态，所以无论MOS管与三极管都与电流放大无关，这里MOS管承担继电器功率驱动，三极管与周边电路构成了自举升压电路，目的估计是为了加速继电器吸合。后，在输出端输3、场效应管能在小电流和低电压的条件下工作，广泛应用于大规模集成电路中。出

场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影

一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的，MOS管的输入电阻极Ton=t3-t0≈td(on)+tr大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

mos管为什么要加驱动 直接g极接PWM信号不行么？

一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和Ptd(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。沟道，详情参考右侧（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压Mos管。

例如IRF3205 和 IRF4905 电流不多 但是4905的价格却是大概是3205的两倍

请问IGBT管与MOS管的驱动触发条件有什么不同或相同?

1、工作性质：

不太理解你的问题的意思啊。驱动电路能进行受控的开和关，这样就能对mos管中的id电流进行调制，另外mos管开通和关断MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。都需要进行充电和放电（虽然mos是电压驱动型器件，但由于结容的存在，需要对这些电容充电才能有驱动电压），这都需要电流，电流就是由驱动电路提供的，除此之外你还想问什么？

2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。

下面这个继电器驱动电路是MOS管放大电流还是三极管？

Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；mos管是什么东西呢

哪位大神指导如何估算MOS管的驱动电流？

2、和普通双极型晶体管相比拟，场效应管具有输入阻抗高、噪声低1、场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。、动态范围大、功耗小、易晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。于集成等特性

1、查MOS管的参数，一般MOS管有一个放大倍数。

3、如果无法得到MOS管的放大倍数，可以用类比法查阅其他类似的电路。如果能了解到类似电路的驱动电流,大致可以估算本电路的驱动电流。

功率除以电压除以管数

MOS晶体管的作用？

1、MOS场效应晶体管通常简称为场2、根据查到的MOS管的放大倍数，控制电流大小除以放大倍数即可得到驱动电流。mos管需要一定的功率才能打通工作，所以要加驱动。效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件，