F9540N场效应管3根管脚间的电阻问题

先断开电源试试，温度高，电阻为零，很可能是短路。其实我也刚学，也不太懂，不过在做实验的时候测电阻我都是后测，先把电流电压测了，断开电源在测电阻。希望帮到你。

f9530n场效应管参数f9530n场效应管参数


f9530n场效应管参数


f9530n场效应管参数


场效应管管有三个脚，删极，漏极，源极，测量时用万用表的二极管档位测量源极和漏极之间是否有二极管特性，这样测量就可以判断是N沟道或是P沟道，然后用万用表的表笔一头搭源极，另一头搭删极，这样漏源极导通，就可以判断此管是否好坏。

请问各位老师.....电焊机的控制板上的irf530n和f9530n是的一样的吗

1、两种都是场效应管，一般做对管运用，就像三极管8050、8550相似

2、530是N沟道场效应管，可以把它看成类似NPN型的8050三极管

3、9530是P沟道场效应管，可以把它看成类似PNP型的8550三极管

4、在焊机运用中，一般用于信号驱动级，推挽工作状态

f9540n场管的参数

场效应MOS管F9540n参数

PD耗散功率：140W

ID漏源电流：-23

V(BR)DSS漏源击穿电压：-100V

RDS(ON)Ω内阻：0.1Ω

VRDS(ON)ld通态电流：-11A

VRDS(ON)栅极电压：-10V

VGS(th)V开启电压：-2~-4V

VGS(th)ld(μA)开启电流：-μA

场效应管F9540n和F9530n 有什么区别,网上没有9540的PDF

型号IRF9540 P沟道 -100. -19A. 125W. TO-220AB

型号IRF9530 P沟道 -100. -12A. 75W. TO-220AB

IRF9530N可以用IRF9Z34N代替吗？

①、关于以上的这款 IRF9530N属于P-M0SFET场效应管，其参数为//耐压：-100V//电流：-12A//功率：75W//。②、关于以上那款 IRF9Z34N属于P－M0SFET场效应管，其参数为//耐压：-55V//电流：-19A//功率：68W//。③、向以上 IRF9530N建议还是不要用 IRF9Z34N代替了，原因是电压、电流、功率等，都比 IRF9530N场效应管低，想代替此管，还是用 IRF9532场效应管代换，适合。仅供参考！

①、关于以上的这款 IRF9530N属于P-M0SFET场效应管，其参数为//耐压：-100V//电流：-12A//功率：75W//。②、关于以上那款 IRF9Z34N属于P－M0SFET场效应管，其参数为//耐压：-55V//电流：-19A//功率：68W//。③、向以上 IRF9530N建议还是不要用 IRF9Z34N代替了，原因是电压、电流、功率等，都比 IRF9530N场效应管低，想代替此管，还是用 IRF9532场效应管代换，适合。仅供参考！

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这是什么管子，是三极管还是场管？

IR公司出的P型场馆 现在这个型号卖给VISHAY公司了 -100v -14A to-220铁头封装

场管

P沟道的场效应管

F9530N是9.3A P沟道的MOS管。

F9530N请问各位是什么三极管~参数是多少谢了

为控制电流的半导体器件；fT=βfo，F9530N是MOS管，不是三极管。

mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

扩展资料：

工作原理

MOS管其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。

n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

参考资料：

型号：F9530N，MOS场效应管

沟道类型 ：N沟道

导电方式：增强型

漏极电流：24

参数如下图：

f9530n是P沟道增强型MOS管

P沟道增强型MOS管