edo是什么意思_shouldbedo是什么意思

内存的参数2-2-2-4里的数字各代表什么意思？

你可参考如下资料吧:

edo是什么意思_shouldbedo是什么意思

edo是什么意思_shouldbedo是什么意思

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPD这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合In PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为21001/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。

4、RDRAM 内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为8001/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，货的可能性较大，所以购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。他的数据一旦关机锯会消失，LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的有效散热路径0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 基粒数目 = 16 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113

FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行FBGA，R2=84针2行FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V

Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = BGA、D =BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CDEF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行FBGA，R2=84针2行FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=5TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。0NS，-6=60NS，-7=70NS

SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ

-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）

-7支持PC200（CL2），PC这个桌子就是内存。266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = BGA、D =BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=3.3V VDD CMOS，V=2.5V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CDEF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行FBGA，R2=84针2行FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS

SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ

-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，7.5=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8NS〔147MHZ〕，75A=7.5NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10

日语里 eido ano sono是一样的意思嘛？

DDR2采用的新技术：

えっと、あの、その

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

三者在作为语气词时并PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。没有具体的意思，只是使用场合有所区别

えっと（etto）、嗯……，呃……。表示思考（为了避免沉默而口头拖延时间的一个语气词）

その（sono），那个……，表示思考

显卡的显存是什么意思 ？什么概念

CPU是处理器，是大脑和核心，内存和硬盘都是存储器，受CPU的指挥。

1、显存的种类：

+MSG- 意思就是说，当你手上有一条两针型的机箱的电源指示灯线时，+号那边插正极，就是有颜色那条，-号就是插负极，就是白色那条。

显存的种类有EDORAM、MDRAM、SDRAM、SGRAM、VRAM、WRAM、DDR等许多种。EDO显存曾用在Voodoo、Voodoo 2等显卡上，但目前已消声匿迹。SGRAM显存支持块写和掩码，可以看作是SDRAM的加强版，曾流行一时，但由于价格较SDRAM稍高，现在也已甚少采用。目前显卡上被广泛使用的显存就是SDRAM和DDR SDRAM了。SDRAM可以与CPU同步工作，无等待周期，减少数据传输延迟。优点是价格低廉，在中低端显卡上得到了广泛的应用。DDR是Double Data Rate是缩写，它是现有的SDRAM内存的一种进化。在设计和作上，与SDRAM很相似，不同的是DDR在时钟周期的上升沿和下降沿都能传输数据，而SDRAM则只可在上升沿传输数据，所以DDR的带宽是SDRAM的两倍，而DDR比SDRAM的数据传输率也快一倍。如果SDRAM内存的频率是133MHz，则DDR内存的频率是266MHz，因此在中显卡上应用广泛。

2、显存的容量：

显存与系统内存一样，也是多多益善。显存越大，可以储存的图像数据就越多，支持的分辨率与颜色数也就越高。以下计算显存容量与分辨率关系的公式：

所需显存=图形分辨率×色彩精度/8

例如要上16bit真彩的1024×768，则需要1024×768×16/8=1.6M，即2M显存。

对于三维图形，由于需要同时对Front buffer、Back buffer和Z buffer进行处理，因此公式为：所需显存（帧存）=图形分辨率×3×色彩精度/8

3、显存的数据位数与带宽：

数据位数从是 SLAVER指的是在一个时钟周期之内能传送的bit数，它是决定显存带宽的重要因素，与显卡性能息息相关。当显存种类相同并且工作频率相同时，数据位数越大，它的性能就越高。

主板跳线是什么意思

问题一：跳线是什么意思啊？如何跳线？ 一般 一条IDE 线上 要同上，要想补充就看他的剧场版，Shambala的接两个设备

就要分一个主从DDR2和DDR3： 大家知道SDRAM内存传输数据时一次只能传输1 bit的数据，在SDRAM内存上发展起来的DDR ,DDR2,DDR3。一次分别能传输2 bit ，4 bit，8 bit的数据。DDR 2的工作频率从667MHZ到1066MHZ不等，工作电压为 1.8V。DDR3 工作频率从1066MHz到1666MHZ，工作电压为1.5V。因此，从DDR2到DDR3，性能更好，功耗更低。

一般 金属外科上有 怎样链接跳硬盘相当于一个容器，用来装东西的，你电脑里的歌曲，电影，软件什么的就是装在里面的线

金属外壳上也有 链接方式

一般看看你的常用 设备 。。。。当然是硬盘了

把光驱的跳线设置为SLAVER

就可以了 这样有一个问题

不贵 几十块钱就 行了

这样 主板上的接口问题 不久解决咯

给你解释一下 什么是跳线

跳线就是主板上的一个个小开关，(其它板卡上也有)，用来手动完成一些软件不能实现的作，比如手动清空BIOS，超频等。

如果主板上的跳线跳接得不正确，大多情况下都可能引起没有显示的故障。有些情况下，虽然也显示，但将由此诱发一些问题，例如：机器自检失败、软驱不能启动、机器工作不稳定等。极少情况下也可能暂时没有异常表现，但是却因此留下了的隐患，日久可能导致主板、处理器或内存的损坏。因此，我们一定要根据机器的配置首先将主板的跳线跳接正确。 作要点： (1)根据所使用的处理器类型、处理器上标注的工作电压、外频、倍频等，将主板上的对应跳线跳接正确。 (2)观察主板上是否有功能未知的跳线，如有的话，一定要将它的作用搞清楚，并正确跳接。 (3)如果您的内存是168线的，那么要搞清楚它是EDO的还是SD的，因为这两种内存所需的工作电压不同。 常见的由于主板跳线不对而引发的故障实例： 一台电脑的基本五组件插接好以后，开机不显示，机箱喇叭无报警的声音。该电脑采用旗舰8STB主板，CY233MX处理器，32MB SDRAM，S364V＋显卡。排查主板跳线时发现：清除CMOS内容的跳线器处于清除CMOS的状态，将其更改为NORMAL状态后，恢复正常显示。 很多主板的清除CMOS内容的跳线如果跳接错误都会引起不显示。少数主板的此跳线即使跳错，也会正常显示，但会提示您重新设置CMOS参数。 其他可能引起不显示故障的跳线错误，常见的还有： 1?奔腾系列处理器的类型（P55C/P54C）设置不正确 常见的处理器中，以下应该按照P55C类型来设置：INTEL公司多能奔腾系列处理器，AMD公司K6、K6－2及后缀字母第二个为H、J、K字母的K5系列处理器，CYRIX公司MⅡ系列、后缀为字母L的6X86系列处理器，IBM公司MX系列处理器。 而以下处理器应该按照P54C类型来设置：INTEL公司奔腾系列处理器，AMD公司后缀字母中的第二个为B、C、F的K5系列处理器，CYRIX公司不带字母后缀L的6X86系列处理器，IDT公司的C6系列处理器。 比如一款AMD的处理器上的标注为AMD－K5－PR100ABQ，由于后缀字母中的第二个为B，故应按P54C来跳接。P54C和P55C处理器的本质别在于处理器内部和外部的工作电压是否一样。 2?处理器的工作电压未设置正确 此处的工作电压主要指处理器内部的工作电压。常见的处理器的内部工作电压为： INTEL公司的多能奔腾系列处理器为2.8V，奔腾系列处理器为3.5V。CYRIX公司MⅡ系列和IBM公司的MX系列处理器为2.9V，后缀为字母L的6X86处理器为2.8V，6X86处理器为3.5V。 IDT公司的C6系列处理器为3.5V。 AMD公司的K6－2系列处理器以及K6处理器中的K6/300、K6/266处理器为2.2V；K6系列处理器中的K6/166、K6/200为2.9V；K6/233处理器较特殊，它有3......>>

问题二：主板跳线VCC是什么意思 应该是内置MINI福USB接口上的一根

VCC D- D+ CND等等，用于接内置摄像头蓝牙等设备用的

问题四：CLRTC跳线是什么? 清除cmos内的信息的, 通常是bios设置错误开不了机的时候用, 或者换内存加内存导致无法开机等

问题五：主板跳线都是什么意思 clr cmos是清除你的cmos设置的。spdif 不是跳线，那是dts音效的输出端，int spk是机身内的蜂鸣器。其他的我也不知道了。

问题六：电脑主板上的跳线为什么叫跳线(跳是什么意思)? 因为它的调节是通过上面的跳线帽取下，再安到另外的针上起作用的，跳线帽拿下再安下就象它跳起又落厂，所以形象地说这种调节为跳线啦。

问题七：主版上跳线+MSG-什么意思啊? 基本肯定你购买的就是技嘉的主板，这是技嘉主板的一大特色，

POWER LED指示灯，就是电源灯。机箱的电源指示灯接线，一般线是有两种的，一种是两针型，一种是三针型。

你看看自己的技嘉主板，是不是在面板跳线那里，除了HDD LED ， POWER SW，

明白了吗？

问题八：电脑主板跳线有一个标MSG的是接什么线的？ 我用的是技嘉的主板，主板上也有一个骸SG，其实就是讯息指示灯，连接到机箱前方面板的电源指示灯，当系统正在运作时，指示灯为持续亮着，系统进入待命（s1）模式时，指示灯闪烁，系统进入休眠或关机时，熄灭，接时注意正负

问题九：电脑主板上有几个跳线,分别是什么？ 主板上的跳线主要用来设置主板上的些功能，比如清除CMOS中的内容，以前的主板还会有设置CPU的外频、倍频、电压等等。具体的跳线的功能可以参考主板说明书。

问题十：主板上的跳线有什么作用 主板上跳线有很多种，一般边上都有印上更能名，比如clear s,是清除CMOS的，这个经常用，老一点的主板还要跳CPU的频率，现在都不需要跳CPU频率了，其它还有一些设备开关，比如内建的网卡、声卡等，可以通过跳线设置启用、禁用，这类跳线也在比较新的主板上消失了，都在BIOS里开关了，你把旁边印的字打上来或许能明白是什么更能

内存上的32M×64和16M×64是什么意思

不同品牌的不相同:

32M64 指单各内存颗粒为32（B）RAMBUS（时钟率）M，位宽为64bit。

16M×64指单各[15.6μS]、2 = 128M/8K[15.6μS]、3 = 64M/8K[7.8μS]、4 = 128M/16K[7.8μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 6.7NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 7.5NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT16=64MBIT内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (15.6μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP内存颗粒为16M，位宽为64bit。

【资料】

内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。内存(Memory)也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。

32M64的是单面的..16M64是双面的

笔记本电脑参数里面的内存容量是什么意思？有什么作用？

あの（ano）、我说……，那个……，那什么……。可以作为提起某个话题，引起对方注意，也可以表示思考时拖延时间的一个语气词

笔记本电脑参数里面的内存容量的意思是支持内存的容量。比如你现在的内存容量是4G，那么你还可以插一根4G的条子上去。而你如果再插根8G的上去，那么也只会识别4G出来或是不识别。 笔记本电脑（NoteBook Comr，简称为：NoteBook），亦称笔记型、手提或膝上电脑（英语：Laptop Comr，可简为Laptop），是一种小型、可方便携带的个人电脑。笔记本电脑的重量通常重1-3公斤。其发展趋势是体积越来越小，重量越来越轻，而功能却越来越强大。像Netbook，也就是俗称的上网本。笔记本电脑跟PC的主要区别在于其便携带性。

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

笔记本与台式机相比，笔记本电脑有着类似的结构组成（显示器、键盘/鼠标、CPU、内存和硬盘），但是笔记本电脑的优势还是非常明显的，其主要优点有体积小、重量轻、携带方便。 一般说来，便携性是笔记本相对于台式机电脑的优势，一般的笔记本电脑的重量只有2公斤左右，无论是外出工作还是旅游，都可以随身携带，非常方便。

超轻超薄是时下（2012年11月）笔记本电脑的主要发展方向，但这并没有影响其性能的提高和功能的丰富。同时，其便携性和备用电源使移动办公成为可能。由例如一帧16bit、1024×768的三维场景，所需的帧缓存为1024×768×3×16bit/8=4.71M，即需要8M显存。于这些优势的存在，笔记本电脑越来越受用户推崇，市场容量迅速扩展。

EDO内存：这种内存主要用于古老的MMX和486机型上面，也有部分厂家在PII的笔记本电脑中仍然使用EDO内存。这种EDO单条容量只有64M，而且由于EDO内存的工作电压为5V和常用的SDRAM的3.3V相比更费电一些，所以很快就被SDRAM内存所取代。

SDRAM内存：笔记本经历了Pentium时代，CPU的速度已经越来越快，这时In公司提出了具有里程碑意义的内存技术SDRAM。由于SDRAM的带宽为64Bit，因此它只需要一条内存就可以工作，数据传输速度比EDO内存至少快了25%。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等几种规格。

DDR内存：Double Data Rate(双倍数据传输)的SDRAM。随着台式机DDR内存的推出，笔记本电脑也步入了DDR时代，有DDR667和DDR800等规格，在主流的采用Pentium4-M、Pentium-M、P4核心赛扬的机器都是采用DDR内存，也有少量的Pentium3-M的机器早早跨入DDR时代。

圆柱轴截面的边长什么意思

建议 你买一个 SATA 转接 IDE 的卡

圆柱轴截面是数学中的术语，意思是指圆柱的轴的截面。也泛指过任意一轴的“面”。

中文名

圆柱轴截面

定义

圆柱的轴的截面

圆柱、圆锥、圆台的咙影挫阻柔旨毅。轴的截面分别叫做圆柱、圆锥、圆台的轴截面；也泛指过任意一轴的“面”。

范例：圆柱的轴截面ABCD是正方形，点E在地面圆周上，圆柱与三棱锥D-ABE的体积之比是3π，求直线DE与平面ABCD所成的角的正切值 . ：设轴截面边长为2，圆柱体积为2π，则三棱锥D-ABE的体积为2/3，则三角形面积为1，过E作EO垂直AB，交AB于O，可证EO垂直平面ABCD，则角EDO是DE与平面ABCD所成角，EO =1，DO=根号5，则正切值为1除以根号5

所以就是表面的意主 是 MASTER思哦。

内化价值观是什么意思

根据简易两者硬件介绍以下区别如下：

内化价值观（internalization values） 西方心理学第二势力精神分析倡导的价值观。S．弗洛伊德认为，遵从快乐原则的本我 (id）和遵从现实原则的自我（edo）都是非道德的，而遵从至善原则的超我（super-ego）则是价值经由父母、教师和教育渠道内化的结果。由于家庭和学校的教诲或的规范都来自久远的文化传统，故超我实质上就是种族价值传统的内化。从价值观的形成来看，弗洛伊德的价值理论是一种外因内化论。

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit16=4Mb内存。，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS

IC型号的开头和尾缀代表什么意思?

MSG ， RESET ，SPERKER，的外面，还有一个POWER LED。对，MSG就是拿来接两针型的电源指示灯，而POW叮R LED就是拿来接三针的电源指示灯。

IC型号的开头和尾缀

工厂有个大仓库，里面放很多玉石的材料。工人从仓库里取出来玉，进行加工。但仓库太大了，远离他的雕刻的机器和设备，至少100里地。每雕刻一块玉就来回跑太累，特别费时间。

一般IC型号的开头的英文字母是代表这个IC的生产厂家对产品系列的命名。

例如美国微芯MICROCHIP的产品，它单片机系列是用“PIC”开头，PIC16F630、PIC18F6720、PIC12F508等，而运放方面的是“MCP”开头，MCP601，MCP6041等，同时它电源类的会是“TC”开头，TC1047，TC2015、TC1107等，而滚动码系列的则是以“HCS”开头，HCS301、HCS201等

一般IC型号的尾缀代表94这样 会损失 性能的是工作温度和封装式。

如PIC12C508-I/P I是指其工作温度是-40度到85度，是达到工业级别的；P是指其封装形式是双列直插DIP的封装；

PIC16F73-E/SO E是指其工作温度是-40度到125度，达到军品级的要求； SO是指其封装形式是表面贴SMD的封装