在电子设备中，非易失性存储器对于存储数据至关重要，即使在断电后也能保留数据。其中两种常见的非易失性存储器类型包括 Flash 和 EEPROM。虽然它们具有相似的功能，但它们在某些方面存在显着差异。

Flash 和 EEPROM：两种存储器类型的对比Flash 和 EEPROM：两种存储器类型的对比


结构和操作

Flash：是一种 NOR 型存储器，其中的每个存储单元都存储一位数据。它使用擦除和编程操作来写入数据，一次擦除整个扇区的大块数据。 EEPROM：是一种字节可寻址的存储器，其中的每个存储单元都存储一个字节的数据。它允许在单个字节级别上进行写入操作，而无需完全擦除扇区。

写入和擦除特性

写入：Flash 的写入速度比 EEPROM 快，因为它可以同时写入多个位。EEPROM 只能一次写入一个字节。 擦除：Flash 的擦除速度也比 EEPROM 快，因为它可以同时擦除一个扇区。EEPROM 只能一次擦除一个字节。

耐用性

写入循环：Flash 的写入循环次数比 EEPROM 低，这意味着它可以承受更少的写入操作。EEPROM 可承受高达 100 万次的写入循环，而 Flash 仅可承受 1 万到 10 万次。 数据保留：Flash 和 EEPROM 都具有出色的数据保留能力，数据可以保持十年或更长时间。

功耗

读取：Flash 和 EEPROM 的读取功耗都很低。 写入：Flash 的写入功耗比 EEPROM 高，因为它需要擦除整个扇区。

应用

Flash：由于其快速的写入速度和相对较低的成本，通常用于固件、操作系统和大型数据存储。 EEPROM：由于其字节可寻址性、高耐久性和低功耗写入，通常用于存储配置数据、参数和需要频繁更新的小型数据集。

总结