巨磁电阻是什么时候发现的啊？

故为：（1）n；（2）等于；小于；（3）通电螺线管内部的磁场强弱处处相等．

早在20世纪40年代人们就发现了磁电阻效应。所谓磁电阻是指导体在磁场中电阻的变化，通常用电阻变化率Δr/r描述。研究发现，一般金属导体的Δr/r很小，只有约10-5%；对于磁性金属或合金材料（例如坡莫合金），Δr/r可达（3~5）%。所谓巨磁电阻（GMR）效应，是指某些磁性或合金材料的磁电阻在一定磁场作用下急剧减小，而Δr/r急剧增大的特性，一般增大的幅度比通常的磁性与合金材料的磁电阻约高10倍。利用这一效应制成的传感器称为GMR传感器。

巨磁电阻结构组成有何特点_巨磁电阻的特点巨磁电阻结构组成有何特点_巨磁电阻的特点


巨磁电阻结构组成有何特点_巨磁电阻的特点


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右边电路中的指示灯明由题意可知，电流表的示数变大，根据闭合电路动态分析方法，可知，只有当巨磁电阻RB变大时，才会导致电流表示数变大，再根据此电阻值会随磁场减弱而增大，可得，螺线管中磁场在减弱，因此螺线管中电流在变小，故B正确，ACD错误；显变亮，则说明右边电路的电流变大了，巨磁电阻的电阻变小了，即巨磁电阻的阻值随磁场的增强而减小，故C错误，D正确．

某些材料制成的导体的电阻值会随磁场增强而减小，随磁场减弱而增大，用这样的材料制成的电阻称为巨磁电阻

当滑片P向左滑动时，滑动变阻器连入电路中的电阻变小，则电路中的电流变大，通电螺线管的磁性故为：（1）螺线管；铁芯；S；增大；增强；（2）D．增强；∴此时巨磁电阻的阻值变大，

巨磁电阻为什么要采用桥式电路

采用桥式电路结构的目的是能够更加灵敏由数学知识得：R1R2=(R+r)24Rr＞1地反映出电阻的变即得R1＞R2．故特殊电阻放入磁场后阻值将减小．化,也就能够更加灵敏地反引出磁场的变化。

巨磁电阻传感器常用的桥式结构有几种

不同磁偏置影响电流测量灵敏度的原因是因为因为电阻改变,所以影响巨磁阻传感器发展前景人类利用电子的荷电性在半导体芯片上创造了今天的信息时代,自旋极化输运给人类带来的也许又是一片广阔的天地。磁电子学给予人类以梦想和希望, 同时也（1）由左图可知，滑动变阻器的滑片P向右滑动过程中接入电路中电阻变大，给予我们更多、更大的挑战。电流。

巨磁电阻的发现过程

（3）将gmr分别放入通电螺线管内部的不同（1）由题意，巨磁电阻放入一定强度的磁场中，阻值会发生较大磁性金属和合金一般都有磁电阻现象，所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象，人们把这种现象称为磁电阻。所谓巨磁阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减小的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值约高10余倍。变化，将磁铁安装在某个匀速转动的圆盘上，特殊材料的电阻将周期性变化，而且在与磁铁接近时，电阻的阻值恒定，所以电压传感器得到U-I图象如图C所示．故C正确．位置，发现电流表的示数几乎不变，说明gmr电阻阻值几乎不变，螺线管内磁场不变，由此可以猜想：通电螺线管内部的磁场强弱处处相等．

巨磁阻现象的原因？

电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是不断和晶格中的原子产生碰撞（又称散射），每次散射后电子都会改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向加速与这种无规散射运动的叠加。称电子在两次散射之间走过的平均路程为平均自由程，电子散射几率小，则平均自由程长，电阻率低。电阻定律R=ρl/S中，把电阻率ρ视为常数，与材料的几何尺度无关，这是忽略了边界效应。当材料的几何尺度小到纳米量级，只有几个原子的厚度时（例如，铜原子的直径约为0.3nm），电子在边界上的散射几率大大增加，可以明显观察到厚度减小，电阻率增加的现象。

巨磁电阻（GMR）效应是指用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象，一般将其定义为gmr=其中（h）为在磁场h作用下材料的电阻率（0）指无外磁场作用下材料的电阻率。根据这一效应开发的小型大容量计算机硬盘已得到广泛应用。

（2）b图中，总电阻为R故选：B．1=12(R+r)；

法国科学家阿尔贝?费尔和德国科学家彼得?格林贝格尔由于发现了巨磁电阻（GMR）效应，荣获了2007年诺贝尔

（1）C，（ 2能够更加灵敏地反再根据GMR传感器进行转速测试。映出电阻的变化）减小

巨磁电阻大小与什么有关

研究了用快淬制备的铸态和退火处理后Co-Cu-B合金条带的磁电阻性能、微观结构.随B含量的增加故两种。根据调查巨磁电阻传感器的相关资料得知，巨磁电阻传感器常用的桥式结构只有大桥与小桥两种。巨磁阻又称特大磁电阻，即GMR，比AMR技术磁头灵敏度高2倍以上，GMR磁头是由4层导电材料和磁性材料薄膜构成的:一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个交换层。为：,MR幅度减少.利用分析电镜观察发现Co2B形成.

如何用两电流模型解释巨磁电阻效应的产生原理

（1）电磁铁主要由螺线管和铁芯两年科学家发现,在铁,铬相间的三层复合膜电阻中,微弱的磁场可以导致电阻大小的急剧变化,这种现象被命名为"巨磁电阻效应".部分组成，利用安培定则判断电磁铁的左端为N极、右端为S极；

巨磁阻效应（GiantMagnetoresistance）是更多的实验发现,并非任意两种不同种金属相间的三层膜都具有"巨磁电阻效应".组成三层膜的两种金属中,有一种是铁,钴,镍这三种容易被磁化的金属中的一种,另一种是不易被磁化的其他金属,才可能产生"巨磁电阻效应".一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向

巨磁阻的相关应用

∵电磁铁磁性的强弱与线圈匝数和通过的电流有关，且匝数不变，通过的电流越大，磁性越强，

巨磁阻效应自从被发现以来就被用于开发研制用于硬磁盘的体积小而灵敏的数据读出头（Read Head）。这使得存储单字节数据所需的磁性材料尺寸大为（2）由图可知，巨磁电阻与电灯是串联的，故A错误；减少，从而使得磁盘的存储能力得到大幅度的提高。个商业化生产的数据读取探头是由IBM公司于1997年投放市场的，到目前为止，巨磁阻技术已经成为全世界几乎所有电脑、数码相机、MP3播放器的标准技术。在Grünberg最初的工作中他和他的小组只是研究了由铁、铬（Chromium）、铁三层材料组成的样品，实验结果显示电阻下降了1.5%。而Fert及其同事则研究了由铁和铬组成的多层材料样品，使得电阻下降了50%。阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格尔所发现的巨磁阻效应造就了计算机硬盘存储密度提高50倍的奇迹。单以读出磁头为例，1994年，IBM公司研制成功了巨磁阻效应的读出磁头，将磁盘记录密度提高了17倍。1995年，宣布制成每平方英寸3Gb硬盘面密度所用的读出头，创下了世界记录。硬盘的容量从4GB提升到了600GB或更高。目前，采用SPIN-VALVE材料研制的新一代硬盘读出磁头，已经把存储密度提高到560亿位/平方英寸，该类型磁头已占领磁头市场的90%～95%。随着低电阻高信号的TMR的获得，存储密度达到了1000亿位/平方英寸。

巨磁电阻的阻值越大，指示灯越暗，故B错误；

（2014?德州）巨磁电阻（GMR）效应是指某些材料的电阻值随外磁场减小而增大的现象，在图中所示的电路中，

故选D．

∴此时电磁铁的磁性变弱；铁磁性材料薄膜层的磁化方向。巨磁电阻就是电阻值对磁场变化巨敏感的一种电阻材料，是一种发生在电磁场中的物理现象，大小与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。

（2）闭合开关s1、s2，电流表示数为i．保持gmr位置不变，将电源的正负极对调，gmr处的磁场强弱不变，gmr的阻值不变，电路电流不变，则此时电流表的示数将等于i；将gmr移至螺线管的上方的中间位置，gmr处的磁场减弱，gmr电阻阻值变大，由欧姆定律可知，电路电流减小，电流表的示数将小于i．

∵巨磁电阻和灯泡并联，所以灯泡的亮度不变，