半导体设备有哪些？

你问的是半导体加工设备还是其它……？如单晶炉、气相外延炉、氧化炉、磁控溅射台、化学机械抛光机、光刻机、离子注入机、切片机、磨光、抛光、点胶、……照相、腐蚀等 多的数不过来，凡是半导体制作过程的各种工艺设备都是。

光刻机属于半导体吗 光刻机是半导体行业吗光刻机属于半导体吗 光刻机是半导体行业吗


光刻机属于半导体吗 光刻机是半导体行业吗


光刻机属于半导体吗 光刻机是半导体行业吗


光刻机是不是就是我们平时电脑上用的光盘刻录机呀，刻CD用的？

不是，光刻机是通过光原理把信息刻在光盘里，也就是说光盘是结果，刻录机是一个小光刻机

肯定不是啊，光刻机是用来制造芯片的，是用来刻蚀集成电路的，就是用来制作cpu或者是手机芯片的。

这个光刻机不是我们平时用来刻录光盘的，具有刻录功能的光驱，这个光刻机指的是半导体芯片加工所使用的一种激光光刻设备。

光刻机 是干什么用的 重要吗 能国产吗？

光刻机是制造cpu的，很重要，国产的光刻机只能刻到28nm，而世界上的光刻机是荷兰生产的，可以刻到10nm，然后就是日本的了，但很可惜，荷兰禁止向出口光刻机

光刻机一般用于芯片的生产用于生产芯片的光刻机是在半导体设备制造上的短板，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口，本次厦门企业从荷兰进口的光刻机就是用于芯片生产的设备。很重要

光刻机是干什么用的，工作原理是什么？

光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System。是指在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“”到硅片上的过程。

并不是单纯的激光，其曝光系统基本上使用的是复杂的紫外光源。

光刻机工作原理：

光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程，现在先进的芯片有30多层。

扩展资料

光刻机的种类：

一、接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。

1、软接触，就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面。

2、硬接触，是将基片通过一个气压（氮气）往上顶，使之与掩膜接触。

3、真空接触，是在掩膜和基片中间抽气，使之更加好的贴合。

特点：光刻胶污染掩膜板，掩膜板的磨损，容易损坏,寿命很低，容易累积缺陷。上个世纪七十年代的工业水准，已经逐渐被接近式曝光方式所淘汰了，国产光刻机均为接触式曝光，国产光刻机的开发机构无法提供工艺要求更高的非接触式曝光的产品化。

二、接近式曝光（Proximity Printing）：掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙，可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用。

特点：掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少，接近式在现代光刻工艺中应用为广泛。

三、投影式曝光（Projection Printing）：在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。

特点：提高了分辨率，掩膜板的制作更加容易，掩膜板上的缺陷影响减小。

参考资料来源：

一般来说是用激光。比如说要在玻璃上刻蚀图形，大致步骤为：清洗玻璃、干燥、在玻璃上涂覆光致抗蚀剂（即光刻胶有正性和负性之分）、干燥（固化）、曝光（方式很多，如激光直写、通过掩模板同时曝光等）、去胶（光刻胶曝光后性质发生光化学变化，去胶的方法也很多，如放在刻蚀剂中，用正性胶的话，被光照到的地方就会被溶解，没有光照到的地方光刻胶保留下来，到这里就已经在光刻胶上刻蚀出了所需图形）、清洗、转移（方法更多，如离子束轰击，光刻胶和玻璃同时被轰击，光刻胶被轰击完后，暴露出来的玻璃也被轰击，就把光刻胶上的图形转移到玻璃上）。实际上，光刻的方法和具体步骤相当复杂，对环境要求也非常高，以上只是基本步骤，让你大致了解而已。

芯片纳米光刻机究竟是什么，原理是怎样的呢？今天算长见识了

光刻机是干什么用的

光刻机是芯片制造的核心设备之一，按照用途可以分为好几种：有用于生产芯片的光刻机；有用于封装的光刻机；还有用于LED制造领域的投影光刻机，同时用于生产芯片的光刻机是在半导体设备制造上的短板。

光刻机（MaskAligner)又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫MaskAlignmentSystem.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography（光刻）意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“”到硅片上的过程。

光刻机EUA与DUA的区别？

光刻机是半导体产业的关键设备，其中是EUV extra 超高特殊紫外线是先进尖端等级用於10奈米以下；DUV deeper 深度紫外线较为中阶约20-100奈米，区别非常大。