什么是pn结 什么是pn结正向偏置
二极管中PN结是什么样的?
PN结:采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称公称压力为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性(供讨论)什么是pn结及半导体基础知识
由于自由电子和空穴浓度的原因,有一些电子从N型区向P型区扩散,也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。PN结是半导体管的组成部分。制造半导体管时,采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区,称为PN结。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多元件,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
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什么是pn结 什么是pn结正向偏置
(2)、在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位1、PN结正偏的含意:端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。
什么是pn结稳压特性
正向导通,反向截止!当正纯净半导体中掺入微量的杂质元素,形成的半导体称为杂质半导体。半导体根据掺入的杂质元素的不同,可以分为P型半导体和N型半导体。向电压达到一定值时(硅管0.7V,锗管0.3V)左右时,电流随电压成指数变化单向导电性 PN结主要的特性就是其具有单方向导电性,即在PN加上适当的正向电压(P区接电源正极,N区接电源负极),PN结就会导通,产生正向电流。若在PN结上加反向电压,则PN结将截止(不导通),正向电流消失,极微弱的反向电流。当反向电压增大至某一数值时,PN结将击穿(变为导体)损坏,使反向电流急剧增大。。与电阻相比它是具有非线性特性的,因此它的特性曲线一般是非线性的;二极管PN结正偏和反偏什么意思?
与触丝连接的阴线为阳极,与N型半导体的锡底座连接的引线为阴极。(1)、与正向偏置相比,交换电源的正、负极位置,即P区接电源负极,N区接电源正极,就构成了PN结的反向偏置。
有两种载流子,即电子和空穴。3、简单来说:二极管有N,P两个极。
扩展资料:
一、PN结正偏时的工作原理:
1、外部电场的方向是从(在微扰影响下,左侧的能级扩展成了右侧的能带)P区指向N区,显然与内电场的方向相反,这时外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷,同时N区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷,结果使空间电荷区变窄,内电场被削弱。
2、内电场的削弱使多数载流子的扩散运动得以增强,形成较大的扩散电流(扩散电流由多子的定向移动形成,通常简称为电流)。
3、在一定范围内,外电场愈强,正向电流愈大,PN结对正向电流呈低电阻状态,这种情况在电子技术中称为PN结的正向导通。
4、半导体在无外加电压的情况下,扩散运动和漂移运动处于动态平衡,动态平衡状态下通过PN结的电流为零。这时,如果在PN结两端加上电压,扩散与漂移运动的平衡就会被破坏,PN结将显示出其单向导电的性能。
二极管的N型和P型是什么意思?
PN结有三个特性:在半导体中掺入施主杂质,就得到N型半导体;在半导体中掺入受主杂质,就得到P型半导体。
参N型半导体 在硅或锗等本征半导体材料中掺入微量的磷、锑、砷等五价元素,就变成了以电子导电为主的半导体,即N型半导体。在N型半导体中,电子(带负电荷)叫多数载流子,空穴(带正电荷)叫少数载流子。考资料:二极管有PN结,采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界处形成空间电荷区称之为PN结,PN结具有单向导电性。
PN结形成:
当把P型半导体和N型半导体制作在一起时,在它们的交界面处,由于两种半导体多数载流子的浓度很大,因此P区的空穴会向N区扩散,同时,N区的自由电子也会向P区扩散,如图1所示。图中 虚线箭头表示P区中空穴的移动方向,实线箭头表示N区中自由电子的移动方向。
扩散到P区的自由电子遇到空穴会复合,扩散到N区的空穴与自由电子也会复合,所以在交界面处多子的浓度会下降,P区出现负离子区,N区出现正离子区,称为空间电荷区。
出现空间电荷区以后, 由于正负电荷之间的相互作用,在空间电荷区会形成一个电场,电场方向由带正电的N区指向带负电的P区。由于这个电场是由载流子扩散运动(即内部运动)形成的,而不是外加电压形成的,故称为内电场。
随着扩散运动的进行,空间电荷区会加宽,内电场增强,其方向正好阻止了P区中的多子空穴和N区中的多子自由电子的扩散。
在内电场电场力的作用下,P区的少子自由电子会向N区漂移,N区的少子空穴也会向P区漂移。漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。
在无外加电场和其他激发作用下,参与扩散运动的多子数目与参与漂移运动的少子数目相等时,达到动态平衡,这是交界面两侧形成的一定厚度的空间电荷区,称为PN结。这个空间电荷区阻碍多子的扩散,因此也称阻挡层;又由于其中几乎没有载流子,因此又称耗尽层。
参考资料来源:
二极管PN结,扩散运动与漂移运动的区别是什么
<img src="/uploads/b679952b17ff7ce7ad207fc320bbc131.png" data-original="" data-rawwidth="230" data-rawheight="216" class="content_image"N型半导体:由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成,会在半导体内部形成带负电的自由电子。 width="230">二极管PN结,扩散运动与漂移运动的区别:
“漂移运动”,在以上扩散的同时,在PN结处形成自建电场E ,在E 的作用下,使载流子漂移。且漂移的方向与上面扩散的方向相反。
所以半导体二极管是由具有一个PN结的半导体加上相应的引出线和管壳制成的。由P型半导体引出的电极称为阳极;由N型半导体引出的电极称阴极。说区别是:扩散是由于浓度异使然;漂移是由于存在电场使然。
为什么是pn结p和n代表什么p代表正麻烦告诉我
此时,由于外加电场的方向与内电场一致,增强了内电场,多数载流子扩散运动减弱,没有正向电流通过PN结,只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。由于少数载流子为数很少,故反向电流是很微弱的。因此,PN结在反向电压下,其电阻是很大的。一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ,P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称。PN结有同质结和异gt;质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ,由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生pn结工作原理:长法等。制造异质结通常采用外延生长法。
P型半导体:由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成,会在半导体内部形成带正电的空穴;
PN结具有什么特性?
“扩散运动”,是由于P区的多数载流子空穴的浓度大于N区,而出现空穴向N区移动;同理,由于N区的多数载流子电子的浓度大于P区,而出现电子向P区移动;在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度。
银白色的开路中半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个空间电荷区,空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。
2、PN结正偏的含意:这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结,形成较大的扩散电流,称为正向电流。由此可见PN结正向导电时,其电阻是很小的。加反向电压时PN结变宽,反向电流很小;如果PN结加反向电压。
由以上分析可以得知:PN结通过正向电压时可以导电,常称为导通;而加反向电压时不导电,常称为截止。这说明:PN结具有单向导电性。
参考资料来源:
什么是PN结型温度传感器及其原理是什么
4、将电源正极与二极管P极相连就是正相偏置,二极管处于导通状态;反之正极接N极就是反向偏置。PN结温度传感器是一种半导体敏感器件, 它实现温度与电压的转换。在常温范围内兼有热电偶,铂电阻,和热敏电阻的各自优点,同时它克服了这些传统测温器件的某些固有缺陷,是自动控制和仪器仪表工业不可缺少的基础元器件之一。在-50~200℃温区内有着及其广泛的用途。特别在温室大棚、水产养殖、医疗器械、家电等领域的应用。
工受温度影响比较大,因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度,因此设计或者运用时常需要考虑温度问题。作原理
晶体二极管或三极管的PN结的结电压是随温度而变化的。例如硅管的PN结的结电压在温度每升高1℃时,下降-2mV,利用扩展资料这种特性,一般可以直接采用二极管(如玻璃封装的开关二极管1N4148)或采用硅三极管(可将集电极和基极短接)接成二极管来做PN结温度传感器。这种传感器有较好的线性,尺寸小,其热时间常数为0.2—2秒,灵敏度高。
三极管的PNP、NPN型中,P 与N 分别指什么材料?有什么特点?
扩展资料N是指5价元素的材料,比如磷, 因为在半导体中提供一个多余的电子而显电负性,所以称之为N(negative). P是指3价元素的材料, 比如铝, 因为外层只有3个电子, 从而与硅结合时有一个空穴, 显电正性, 所以称之为P(itve).
它们不是指(大家好,PN结 通过特殊的“扩散”制作工艺,将一块本征半导体的一半掺入微量的五价元素、变成P型半导体,而将其另一半掺入微量的三价元素、变成N型半导体,在P型半导体区和N型半导体区的交界面处就会形成一个具有特殊导电性能的薄层,这就是PN结,它对P型区和N型区中多数载流子的扩散运动产生了阻力。我是氢原子的电子能级)什么材料,它们代表的是形成三极管的高分子材料,或是高聚物。我就是学这方面的。
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